一种金色LOW-E玻璃及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种金色LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，其特征在于：在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有六个膜层，其中第一膜层即最内层为SiO2层，第二层为氧化不锈钢层，第三层为NiCr层，第四层为Ag层，第五层为NiCr层，最外层为SiO2层。本发明专利技术目的是克服了现有技术的不足，提供一种透过率高，镀膜层与玻璃基材的结合力强、镀膜层致密、均匀的金色LOW-E玻璃，本发明专利技术还提供一种磁控溅射法制备金色LOW-E玻璃的方法。

【技术实现步骤摘要】
—种金色LOW-E玻璃及制备方法【
】本专利技术涉及一种金色LOW-E玻璃，本专利技术还涉及一种磁控溅射法制备金色LOW-E玻璃的方法。【
技术介绍
】现有的金色LOW-E玻璃的镀膜层与玻璃基材的结合力弱、镀膜层疏松、不均匀。膜层之间的粘结力差，膜层容易脱落。【
技术实现思路
】本专利技术目的是克服了现有技术的不足，提供一种透过率高，镀膜层与玻璃基材的结合力强、镀膜层致密、均匀的金色LOW-E玻璃，本专利技术还提供一种磁控溅射法制备金色LOff-E玻璃的方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的:一种金色LOW-E玻璃，包括有玻璃基片I，其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有六个膜层，其中第一膜层即最内层为SiO2层21，第二层为氧化不锈钢层22，第三层为NiCr层23，第四层为Ag层24，第五层为NiCr层25，最外层为SiO2层26。所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜层SiO2层21的厚度为10~40nm。所述第二层氧化不锈钢层层22的厚度为20~50nm。所述第三层NiCr层23的厚度为5~15nm。所述第四层Ag层24的厚度为15~30nm。其特征在于所述第五层NiCr层25的厚度为5~15nm。所述最外层SiO2层26的厚度为25~50nm。一种制备权利要求1所述的金色LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤:(I)磁控溅射SiO2层，用交流中频电源、氧气作反应气体溅射半导体材料重量比S1:Al = 90 ~98:2 ~10 ；(2)氧化不锈钢层，用直流电源、氧气作主反应气体的反应溅射；(3)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；(4)磁控溅射Ag层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；(5)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；(6)磁控溅射SiO2层，用交流中频电源、氧气作反应气体溅射半导体材料重量比S1:Al = 90 ~98:2 ~10。所述第一膜层SiO2层21的厚度为10~40nm，第二层氧化不锈钢层层22的厚度为20~50nm,第三层NiCr层23的厚度为5~15nm,第四层Ag层24的厚度为15~30nm,第五层NiCr层25的厚度为5~15nm,最外层SiO2层26的厚度为25~50nm。所述步骤(1)和步骤(6)中半导体材料重量比S1:Al = 90:10。与现有技术相比，本专利技术有如下优点: 1、本专利技术膜层最内层和最外层采用SiO2层，增强膜层与玻璃的粘结，改善膜层性能及玻璃面的反射效果，膜层与玻璃基材的结合力强、镀膜层致密、均匀。2、本专利技术色泽均匀，更显明呈现金黄色，具有较高的可见光透过率。【【附图说明】】图1是本专利技术结构示意图。【【具体实施方式】】一种金色LOW-E玻璃，包括有玻璃基片I，在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有六个膜层，其中第一膜层即最内层为SiO2层21，第二层为氧化不锈钢层22，第三层为NiCr层23，第四层为Ag层24，第五层为NiCr层25，最外层为SiO2层26。所述第一膜层3102层21，即二氧化硅层，通过与氧气反应结合提高玻璃的折射率，SiO2层的厚度为10~40nm, nm是纳米，Im = 109nm。增强膜层与玻璃的粘结，改善膜层性能及玻璃面的反射效果。第二层氧化不锈钢层层22，作调节金色颜色层，可得到较黄的金色效果。氧化不锈钢层层22的厚度为20~50nm。第三层NiCr层23，即镍铬金属层，作为Ag层的保护层及平整层，提高耐氧化性能防止Ag层的氧化。NiCr层23的厚度为5~15nm。第四层Ag层24，即金属银层，金属银层提供了较低的辐射率，起环保节能的作用；Ag层厚度为的15~30nm,第五层NiCr层25，即镍铬金属层，作为Ag层的保护层及平整层，提高耐氧化性能防止Ag层的氧化。NiCr层23的厚度为5~15nm。最外层SiO2层26，即二氧化硅层，有较好机械性能，使膜层有较好的耐划伤、耐磨性，起较好的保护性，SiO2层26的厚度为25~50nm。一种磁控溅射法制金色LOW-E玻璃的方法，包括如下步骤:(7)磁控溅射SiO2层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料重量比S1:Al = 90 ~98:2 ~10 ；(8)磁控溅射氧化不锈钢层，用直流电源、氧气作主反应气体的反应溅射；(9)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；(10)磁控溅射Ag层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；(11)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；(12)磁控溅射SiO2层，用交流中频电源、氧气作反应气体溅射半导体材料重量比S1:Al = 90 ~98:2 ~10。磁控溅射5102层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料重量比S1:Al=90~98:2~10” ；此处得到的是SiO2，而金属Al是用于增加原材料在磁控溅射过程中的导电性能，金属Al并不参与反应，由于非金属半导体Si的导电性能极差，如不采用金属Al混合增加导电性能将无法顺利进行磁控溅射SiO2层。本专利技术的优选方案: 所述第一膜层SiO2层21的厚度为25nm，第二层氧化不锈钢层层22的厚度为35nm,第三层NiCr层23的厚度为10nm，第四层Ag层24的厚度为20nm，第五层NiCr层25的厚度为IOnm,最外层SiO2层26的厚度为40nm。步骤(1)和步骤(6)中半导体材料的配比均为S1:Al = 90:10。Low-E玻璃也叫做低辐射镀膜玻璃。本专利技术采用磁控溅射法将镀膜层溅射在玻璃基材上，镀膜层与玻璃基材的结合力强、镀膜层致密、 均匀。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金色LOW‑E玻璃，包括有玻璃基片(1)，其特征在于：在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有六个膜层，其中第一膜层即最内层为SiO2层(21)，第二层为氧化不锈钢层(22)，第三层为NiCr层(23)，第四层为Ag层(24)，第五层为NiCr层(25)，最外层为SiO2层(26)。

【技术特征摘要】
1.一种金色LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(I)，其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有六个膜层，其中第一膜层即最内层为SiO2层(21)，第二层为氧化不锈钢层(22)，第三层为NiCr层(23)，第四层为Ag层(24)，第五层为NiCr层(25)，最外层为SiO2层(26)。2.根据权利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜层SiO2层(21)的厚度为10?40nm。3.根据权利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第二层氧化不锈钢层层(22)的厚度为20?50nm。4.根据权利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第三层NiCr层(23)的厚度为5?15nm。5.根据权利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层Ag层(24)的厚度为 15 ?30nm。6.根据权利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第五层NiCr层(25)的厚度为5?15nm。7.根据权利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述最外层SiO2层(26)的厚度为25?50nm。8.一种制备权利要求1所述的金色LOW-E玻璃的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙叠文，杨永华，潘韬，魏邦争，
申请(专利权)人：中山市格兰特实业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44