本实用新型专利技术公开了一种高频有源整流装置，包括由四个N沟道增强型MOS管两两G极电联形成第一组合第二组后；第一组的S极与第二组S的极对应相连；所述第一组的上N沟道增强型MOS管和第二组的下N沟道增强型MOS管的D极连接有高频变压器第一次级和高频变压器第二次级的同名端；所述高频变压器第一次级和高频变压器第二次级的异名端分别电连接第一组的上N沟道增强型MOS管和第二组的下N沟道增强型MOS管的S极；所述交流输入端口外围安装有电流鉴相器；所述电流鉴相器一端连接有电阻；电阻分别连接电源和第一电压比较器的同向端。本实用新型专利技术的高频有源整流装置，功耗比较低，能够快速高效的对交流电进行高频有源整流。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种高频有源整流装置，包括由四个N沟道增强型MOS管两两G极电联形成第一组合第二组后；第一组的S极与第二组S的极对应相连；所述第一组的上N沟道增强型MOS管和第二组的下N沟道增强型MOS管的D极连接有高频变压器第一次级和高频变压器第二次级的同名端；所述高频变压器第一次级和高频变压器第二次级的异名端分别电连接第一组的上N沟道增强型MOS管和第二组的下N沟道增强型MOS管的S极；所述交流输入端口外围安装有电流鉴相器；所述电流鉴相器一端连接有电阻；电阻分别连接电源和第一电压比较器的同向端。本技术的高频有源整流装置，功耗比较低，能够快速高效的对交流电进行高频有源整流。【专利说明】一种高频有源整流装置
本技术属于计算机电源
，涉及大功率高频整流电源的控制技术。
技术介绍
随着计算机功能效率的不断强大，计算机电源的功能和转换效率也在不断提高。对于计算机电源来说最开始的处理就是对交流电进行整流，而现今整流的方式都是通过无源器件的整流二极管来完成。对于二极管搭成的整流器在二极管导通状态在电能损耗较大，是否可以通过其它方式避免二极管整流所带来的能量损耗。如果使用有源器件导通电阻小的MOS场效应晶体管来设计代替整流二极管的整流电路，则能更好的减少能量损耗，提高整流电路的效率。
技术实现思路
为了解决计算机的能量损耗的问题，本技术提出了一种高频有源整流装置。本技术的技术方案是，本技术的高频有源整流装置，包括由四个N沟道增强型MOS管两两G极电联形成第一组合第二组后；第一组的S极与第二组S的极对应相连；所述第一组的上N沟道增强型MOS管和第二组的下N沟道增强型MOS管的D极连接有高频变压器第一次级和高频变压器第二次级的同名端；所述高频变压器第一次级和高频变压器第二次级的异名端分别电连接第一组的上N沟道增强型MOS管和第二组的下N沟道增强型MOS管的S极；所述第一组的下N沟道增强型MOS管和第二组的上N沟道增强型MOS管的D极电连接有高频变压器第三次级和高频变压器第四次级的非同名端；所述高频变压器第三次级和高频 变压器第四次级的同名端分别电连接第一组的下N沟道增强型MOS管和第二组的上N沟道增强型MOS管的S极；所述第一组和第二组的G极电连接交流输入端口的两脚；所述第一组和第二组的S极两端并接有电容；所述电容两端并接有直流输出端口 ；所述交流输入端口外围安装有电流鉴相器；所述电流鉴相器一端连接有电阻；电阻分别连接电源和第一电压比较器的同向端；电流鉴相器的另一端电联第一电压比较器的反向端和第二电压比较器的同向端；所述第二电压比较器的反向端接地；所述第一电压比较器输出端通过第二电容和第一高频变压器初级电联第二电压比较器输出端。进一步地，所述高频变压器第一次级、高频变压器第二次级、高频变压器第三次级、高频变压器第四次级的匝数相同。本技术的有益效果:本技术的高频有源整流装置，功耗比较低，能够快速高效的对交流电进行高频有源整流。【专利附图】【附图说明】图1为本技术的电路原理图。图中:UlA为第一电压比较器；UlB为第二电压比较器；U2:电流鉴相器；Ql、Q2、Q3、Q4:N沟道增强型MOS管；L1、L2、L4、L5:高频变压器次级；L6:高频变压器次级；Jl:交流输入端口 ； J2:直流输出端口 ；R1:电阻；C1:电容；C2:第二电容。【具体实施方式】如图1所示，本技术的高频有源整流装置，包括由四个N沟道增强型MOS管Ql、Q2、Q3、Q4两两G极电联形成第一组合第二组后；第一组的S极与第二组S的极对应相连；所述第一组的上N沟道增强型MOS管Q2和第二组的下N沟道增强型MOS管Q3的D极连接有高频变压器第一次级LI和高频变压器第二次级L5的同名端；所述高频变压器第一次级LI和高频变压器第二次级L5的异名端分别电连接第一组的上N沟道增强型MOS管Q2和第二组的下N沟道增强型MOS管Q3的S极；所述第一组的下N沟道增强型MOS管Q4和第二组的上N沟道增强型MOS管Ql的D极电连接有高频变压器第三次级L4和高频变压器第四次级L2的非同名端；所述高频变压器第三次级L4和高频变压器第四次级L2的同名端分别电连接第一组的下N沟道增强型MOS管Q4和第二组的上N沟道增强型MOS管Ql的S极；所述第一组和第二组的G极电连接交流输入端口 Jl的两脚；所述第一组和第二组的S极两端并接有电容Cl ;所述电容两端Cl并接有直流输出端口 J2 ;所述交流输入端口 Jl外围安装有电流鉴相器U2 ;所述电流鉴相器U2—端连接有电阻Rl ;电阻Rl分别连接电源VCC和第一电压比较器UlA的同向端；电流鉴相器U2的另一端电联第一电压比较器UlA的反向端和第二电压比较器UlB的同向端；所述第二电压比较器UlB的反向端接地；所述第一电压比较器UlA输出端通过第二电容C2和第一高频变压器初级L6电联第二电压比较器UlB输出端；所述高频变压器第一次级L1、高频变压器第二次级L2、高频变压器第三次级L3、高频变压器第四次级L4的匝数相同。【权利要求】1.一种高频有源整流装置，其特征在于:包括由四个N沟道增强型MOS管两两G极电联形成第一组合第二组后；第一组的S极与第二组S的极对应相连；所述第一组的上N沟道增强型MOS管和第二组的下N沟道增强型MOS管的D极连接有高频变压器第一次级和高频变压器第二次级的同名端；所述高频变压器第一次级和高频变压器第二次级的异名端分别电连接第一组的上N沟道增强型MOS管和第二组的下N沟道增强型MOS管的S极；所述第一组的下N沟道增强型MOS管和第二组的上N沟道增强型MOS管的D极电连接有高频变压器第三次级和高频变压器第四次级的非同名端；所述高频变压器第三次级和高频变压器第四次级的同名端分别电连接第一组的下N沟道增强型MOS管和第二组的上N沟道增强型MOS管的S极；所述第一组和第二组的G极电连接交流输入端口的两脚；所述第一组和第二组的S极两端并接有电容；所述电容两端并接有直流输出端口 ；所述交流输入端口外围安装有电流鉴相器；所述电流鉴相器一端连接有电阻；电阻分别连接电源和第一电压比较器的同向端；电流鉴相器的另一端电联第一电压比较器的反向端和第二电压比较器的同向端；所述第二电压比较器的反向端接地；所述第一电压比较器输出端通过第二电容和第一高频变压器初级电联第二电压比较器输出端。2.根据权利要求1所述的一种高频有源整流装置，其特征在于:所述高频变压器第一次级、高频变压器第二次级、高频变压器第三次级、高频变压器第四次级匝数相同。【文档编号】H02M7/219GK203761289SQ201420156897【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年4月2日 优先权日:2014年4月2日 【专利技术者】张常泉 申请人:江西科技学院本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高频有源整流装置，其特征在于：包括由四个N沟道增强型MOS管两两G极电联形成第一组合第二组后；第一组的S极与第二组S的极对应相连；所述第一组的上N沟道增强型MOS管和第二组的下N沟道增强型MOS管的D极连接有高频变压器第一次级和高频变压器第二次级的同名端；所述高频变压器第一次级和高频变压器第二次级的异名端分别电连接第一组的上N沟道增强型MOS管和第二组的下N沟道增强型MOS管的S极；所述第一组的下N沟道增强型MOS管和第二组的上N沟道增强型MOS管的D极电连接有高频变压器第三次级和高频变压器第四次级的非同名端；所述高频变压器第三次级和高频变压器第四次级的同名端分别电连接第一组的下N沟道增强型MOS管和第二组的上N沟道增强型MOS管的S极；所述第一组和第二组的G极电连接交流输入端口的两脚；所述第一组和第二组的S极两端并接有电容；所述电容两端并接有直流输出端口；所述交流输入端口外围安装有电流鉴相器；所述电流鉴相器一端连接有电阻；电阻分别连接电源和第一电压比较器的同向端；电流鉴相器的另一端电联第一电压比较器的反向端和第二电压比较器的同向端；所述第二电压比较器的反向端接地；所述第一电压比较器输出端通过第二电容和第一高频变压器初级电联第二电压比较器输出端。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张常泉，
申请(专利权)人：江西科技学院，
类型：新型
国别省市：江西;36
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