芯片保护装置制造方法及图纸

一种芯片保护装置，用来当一芯片的一第一表面被蚀刻液侵蚀以形成多个歧管（ｍａｎｉｆｏｌｄｓ）时保护该芯片的一第二表面的一特定区域不受该蚀刻液所侵蚀。该芯片保护装置包括一基座，用来放置该芯片，以及一固定装置，用来将该芯片固定于该基座上。其中该基座上设有一阻隔环，用来阻隔该蚀刻液。当该固定装置将该芯片固定于该基座上时，该芯片会紧贴该阻隔环，而该阻隔环会阻挡该蚀刻液流到该特定区域。（*该技术在2011年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种芯片保护装置，特别是涉及一种用来保护制作打印头(printhead)的芯片的保护装置。在现今信息科技日益发展的时代，使用者对于记录媒体的需求有日益增加的趋势，而喷墨打印机因其打印品质高及价格合理等因素，已被广泛地采用。喷墨打印机包括一打印头(printhead)，当喷墨打印机打印文件时，打印头会从其多个喷嘴(nozzles)喷出墨滴。打印头内包括至少一歧管及多个流体腔(chambers)，歧管与多个流体腔相连通，用来供应墨水至流体腔。每一喷嘴则分别对应于一流体腔，其包括一喷孔及一压力产生装置，此一压力产生装置通常为一加热器，用来加热流体腔内墨水以产生气泡。当加热器产生气泡时，气泡会将流体腔内的墨水从喷孔推挤出去，而形成墨滴。一般歧管是以贯通打印头内部的方式形成于打印头之内，以供应墨水至每一喷嘴。在早期，当欲于打印头内形成歧管时，大多是采用喷砂技术来进行，但是因喷砂技术所能获得的精确度不高，故在喷砂过程中常会造成歧管位置偏移或是歧管边缘不够平整的问题，而当这些问题发生时，打印头的品质及良率会连带受到影响。因此，为避免于形成歧管时产生上述的问题，目前的歧管制造方式已逐渐以蚀刻单晶矽芯片的方式来达成。然而在以蚀刻方式来形成歧管时，由于需将芯片穿孔以形成歧管，故芯片所需的蚀刻时间必须相当地长，且因所使用之蚀刻液大多为强酸或强硷，在长时间的蚀刻中，芯片的其他部位很容易受到蚀刻液所侵蚀，进而使得芯片易因结构受损而破裂。此外，如果芯片上早已有相关的电路(如加热器)形成的话，当芯片进行蚀刻时，芯片上的电路也会受到蚀刻液所侵蚀而无法正常运作。为减小蚀刻液对芯片及芯片上的电路所造成的伤害，现有技术(如美国专利US5841452号”Method of fabricating bubblejet print devices usingsemiconductor fabrication techniques”“使用半导体制造技术来制造气喷式打印装置的方法”)在进行长时间的蚀刻时，均会在芯片的正、反面沉积一硬质保护膜，并于形成蚀刻图案后，再置入蚀刻液中进行蚀刻。请参考附图说明图1至图3，图1至图3是于美国专利US5841452号中所揭露，用来描述保护膜16如何保护一芯片10上的电路不受蚀刻液所侵蚀。如图1至图3所示，当芯片10受蚀刻液侵蚀而于其内形成一喷孔18及一流体腔20之前，一些电路回路(如加热器12、晶体管14)已形成于芯片10之上，为了避免这些电路于蚀刻时受到侵蚀，故于形成加热器12及晶体管14后，芯片10上会再沉积一层玻璃层16作为保护膜，以防止芯片10上的加热器12及晶体管14受到蚀刻液所侵蚀。然而因形成沉积玻璃层16的步骤较为繁琐，且芯片10的边缘于沉积玻璃层16时通常受限于镀膜均匀性影响，而沉积得不太理想，故芯片10边缘很容易在蚀刻过程中产生微小孔洞，而这些微小孔洞会造成芯片10整体强度的下降，进而严重影响到形成歧管时的良率。此外，当沉积玻璃层16时，因沉积物材质的影响，玻璃层16上有时会有所谓的镀膜空孔产生。若玻璃层16上有镀膜空孔的话，当蚀刻芯片10时，蚀刻液极易经由这些镀膜空孔侵蚀到芯片10上的电路。因此，此一于芯片10上形成保护膜16以保护芯片10上电路的方式并不十分理想。所以本技术的主要目的在于提供一芯片保护装置，用来当一芯片的一第一表面被蚀刻液侵蚀以形成多个歧管(manifolds)时保护该芯片的一第二表面的一特定区域不受该蚀刻液所侵蚀。另一方面，藉由保护装置的设计，可达到保护芯片边缘的功能，使得体蚀刻步骤可于芯片正面电路形成后再进行，以避免因先形成歧管造成芯片强度的降低，而影响到后续正面电路的形成。除此之外，藉由本技术的芯片保护装置，于蚀刻芯片时，也可省去事先沉积保护膜的相关步骤。为实现上述目的，本技术提供一种芯片保护装置，用来当一芯片的一第一表面被蚀刻液侵蚀以形成多个歧管(manifolds)时保护该芯片的一第二表面的一特定区域不受该蚀刻液所侵蚀，该芯片保护装置包括一基座，用来放置该芯片，该基座上设有一第一阻隔环，用来阻隔该蚀刻液；以及一固定装置，用来将该芯片固定于该基座上；其中当该固定装置将该芯片固定于该基座上时，该芯片会紧贴该第一阻隔环，而该第一阻隔环会阻挡该蚀刻液流到该特定区域。本技术具有如下优点当一芯片的一第一表面被蚀刻液侵蚀以形成多个歧管(manifolds)时保护该芯片的一第二表面的一特定区域不受该蚀刻液所侵蚀。通过以下结合附图对本技术优选实施例的描述，本技术的上述以及其他目的和特点会更清楚。附图中图1至图3为现有芯片进行蚀刻时的剖面图；图4为本技术芯片保护装置与芯片组装时的示意图；图5为图4芯片保护装置固定芯片后的示意图；图6为图5芯片保护装置沿切线6-6的剖面图；图7为图4芯片经蚀刻而形成歧管与流体腔后的剖面图；图8为本技术第二实施例芯片保护装置与芯片组装时的示意图；图9为图8芯片保护装置固定芯片后的示意图；图10为图8芯片保护装置沿切线10-10的剖面图；图11为本技术第三实施例芯片保护装置固定芯片后的剖面图；图12为本技术第四实施例芯片保护装置固定芯片后的剖面图；图13为本技术第五实施例芯片保护装置固定芯片后的剖面图；图14为本技术第六实施例芯片保护装置与芯片组装时的示意图；图15为图14芯片保护装置的剖面图；图16为本技术第七实施例芯片保护装置与芯片组装时的示意图；以及图17为图16芯片保护装置沿切线17-17的剖面图。附图标号说明30、30’ 芯片32、32’ 第一表面34、34’ 第二表面36、36’ 特定区域38 芯片外缘42 歧管44 流体腔50、70、100、120、150、180、200 芯片保护装置52、82、102、122、152、182、202 基座54、84、112、142、162、188、214 第一阻隔环56、78、106、128、158 固定装置72、104、124、126、154、156 乘载片74、114、144、164 第二阻隔环76、136、138、192、204、206开口132第一面134第二面146、166 第三阻隔环148、168 第四阻隔环184活动环186上盖194内表面196第一螺纹198第二螺纹208支撑部位212空心柱的一端216圆环218蚀刻液请参考图4至图6，图4为本技术芯片保护装置50与一芯片30组装时的示意图，图5为图4芯片保护装置50固定芯片30后的示意图，图6为图5芯片保护装置50沿切线6-6的剖面图。保护装置50是用来当芯片30的一第一表面32被蚀刻液侵蚀以形成多个歧管及流体腔时保护芯片30的一第二表面34的一特定区域36不受该蚀刻液所侵蚀。芯片保护装置50包括一基座52用来放置芯片30，以及至少一固定装置56用来将芯片30固定于基座52上。基座52上则设有一第一阻隔环54用来阻隔蚀刻液。第一阻隔环54是由一低硬度的软质密封材料所构成，当固定装置56将芯片30固定于基座52上时，第一阻隔环54会受到压迫而变形，进而使第一阻隔环54紧贴于芯片30的第二表面34上。其中，芯片30是一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片保护装置，用来当一芯片的一第一表面被蚀刻液侵蚀以形成多个歧管（ｍａｎｉｆｏｌｄｓ）时保护该芯片的一第二表面的一特定区域不受该蚀刻液所侵蚀，其特征在于，该芯片保护装置包括： 一基座，用来放置该芯片，该基座上设有一第一阻隔环，用来阻隔该蚀刻液；以及 一固定装置，用来将该芯片固定于该基座上； 其中当该固定装置将该芯片固定于该基座上时，该芯片会紧贴该第一阻隔环，而该第一阻隔环会阻挡该蚀刻液流到该特定区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡宏盛，徐聪平，陈苇霖，周忠诚，李英尧，
申请(专利权)人：明基电通股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]