像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，特别涉及一种像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD，用以解决目前像素分隔墙会与像素电极部分交叠，使得像素开口率变小的问题。本发明专利技术实施例的像素分隔墙制作方法包括：在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层；采用同一掩膜版，先对固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件，再对导电膜层进行刻蚀处理以形成与固体部件完全重合的像素电极；在形成有固体部件的基板表面上旋涂混合液；在像素电极上施加第一直流电压信号，在混合液中施加第二直流电压信号，且第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值；加热蒸发掉混合液中的电润湿溶剂，并对剩余的聚合物单体进行固化处理，形成像素分隔墙。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及显示
，特别涉及一种像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD，用以解决目前像素分隔墙会与像素电极部分交叠，使得像素开口率变小的问题。本专利技术实施例的像素分隔墙制作方法包括：在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层；采用同一掩膜版，先对固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件，再对导电膜层进行刻蚀处理以形成与固体部件完全重合的像素电极；在形成有固体部件的基板表面上旋涂混合液；在像素电极上施加第一直流电压信号，在混合液中施加第二直流电压信号，且第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值；加热蒸发掉混合液中的电润湿溶剂，并对剩余的聚合物单体进行固化处理，形成像素分隔墙。【专利说明】像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD。
技术介绍
电致变色显示是一种新型的显示技术，与液晶显示相比，其具有清晰度高、视角大、工作电压低、以及不需要背光和偏光片等优点，因此，得到了快速的发展。目前主流的 ECD (Electrochomeric Display,电致变色显不器)为 AMECD (ActiveMatrix E⑶，有源矩阵式电致变色显示器)，其包括两种进行彩色显示的结构:第一种是RGB(红绿蓝)彩膜+ —种EC电解液的结构，第二种是RGB三种EC电解液的结构。对于任一种进行彩色显示的AME⑶结构，为了避免相邻像素显示色彩的串扰，目前的AMECD中一般会设置有用于分隔相邻像素的像素分隔墙。其中，目前制作像素分隔墙的步骤包括:在表层包含像素电极的第一基板上涂布一层光刻胶；采用掩膜版对所述光刻胶进行曝光，其中，所述像素电极对应所述掩膜版的不透光区域，具体如图1A所示；清洗掉所述掩膜版的不透光区域对应的光刻胶，形成与所述像素电极间隔设置的像素分隔墙，具体如图1B所示。由于光线存在衍射和散射现象，因此制作出的像素分隔墙的实际宽度要比掩膜板的透光区域宽度大得多，使得像素分隔墙与像素电极部分交叠，具体如图1B所示；而且，由于目前很难实现像素电极与掩膜版的不透光区域位置的精准对应，因此，也可能导致制作出的像素分隔墙与像素电极部分交叠，使得像素的开口率变小，降低AMECD的显示效果。综上所述，采用目前方法制作出的像素分隔墙很可能会与像素电极部分交叠，使得像素的开口率变小，降低AME⑶的显示效果。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD，用以解决现有技术中存在的制作出的像素分隔墙很可能会与像素电极部分交叠，使得像素的开口率变小，降低AME⑶的显示效果的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种像素分隔墙的制作方法，包括:在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层；其中，所述衬底基板包括薄膜晶体管TFT和全面覆盖所述TFT的平坦化层，所述平坦化层包含露出所述TFT的漏极的过孔；采用同一掩膜版，先对所述固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件，再对所述导电膜层进行刻蚀处理以形成与所述固体部件完全重合、且通过所述过孔与所述漏极电连接的像素电极；在形成有所述固体部件的基板表面上旋涂一层混合液，其中，所述混合液包括电润湿溶剂和聚合物单体；在设定时长内，通过分别与所述TFT的栅极和源极电连接的栅线和数据线，在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号，并在所述混合液中施加第二直流电压信号，且所述第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值；加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂，并对剩余的所述聚合物单体进行固化处理，形成所述像素分隔墙；其中，所述固体介质层满足如下特性:在初始状态下，其上表面具有亲水性；而在所述像素电极上施加所述第一直流电压信号，并在所述混合液中施加所述第二直流电压信号时，其上表面由具有亲水性转变为具有疏水性。较佳地，所述在混合液中施加第二直流电压信号，具体包括:将一端接地的电极弓I线通入所述混合液中。较佳地，该方法还包括:在设定时长到达后，拆除所述电极引线。较佳地，所述聚合物单体包括丙烯酸酯或者环氧树脂；当所述聚合物单体为丙烯酸酯时，对所述聚合物单体进行固化处理，具体包括:在温度为150°C?230°C的条件下，对所述聚合物单体进行不小于I小时的热固化；当所述聚合物单体为环氧树脂时，对所述聚合物单体进行固化处理，具体包括:在功率不小于I焦耳每秒的条件下，对所述聚合物单体进行I秒?10秒的紫外固化。较佳地，所述设定时长大于O且不大于I分钟。较佳地，所述第一直流电压信号的电压值大于O伏特且不大于50伏特。较佳地，所述电润湿溶剂包括极性溶剂和非极性溶剂；所述极性溶剂包括水、氯化钠水溶液和氯化钾中的一种；所述非极性溶剂包括硅油、癸烷、十二烷和十四烷中的一种。较佳地，所述固体介质层的材料包括氮化硅、二氧化硅和氧化铝中的一种。第二方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括:像素电极，位于所述像素电极上方、且与所述像素电极完全重合的固体部件，以及位于所述固体部件和像素电极周围区域的像素分隔墙，其中:所述像素分隔墙采用本专利技术实施例中所述的方法制作。第三方面，本专利技术实施例提供了一种有源矩阵式电致变色显示器，其中:包括本专利技术实施例中所述的阵列基板。本专利技术实施例的有益效果包括:形成的像素电极、以及位于所述像素电极上方的固体部件完全重合；在初始状态下，固体部件上表面具有亲水性，因此，位于固体部件上的混合液能够在固体部件上铺展开；在所述像素电极上施加第一直流电压信号，并在所述混合液中施加第二直流电压信号后，固体部件上表面由具有亲水性转变为具有疏水性，因此，位于固体部件上的混合液会收缩到所述固体部件的周围区域，即，所述混合液会收缩到与固体部件完全重合的像素电极的周围区域，使得由所述混合液得到的像素分隔墙不会与像素电极交叠，从而提高像素的开口率，以及提高包含本专利技术实施例的像素分隔墙和像素电极的AMECD的显示效果。【专利附图】【附图说明】图1A和图1B为现有技术中制作像素分隔墙的过程示意图；图2为本专利技术实施例中制作像素分隔墙的方法流程示意图；图3A?图3D为本专利技术实施例中制作像素分隔墙的过程示意图；图4A为本专利技术实施例中包含RGB三种EC电解液的AME⑶结构示意图；图4B为本专利技术实施例中包含RGB彩膜和一种EC电解液的AME⑶结构示意图。【具体实施方式】与现有技术相比，在本专利技术实施例中，在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层；采用同一掩膜版，先对所述固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件，再对所述导电膜层进行刻蚀处理以形成与所述固体部件完全重合的像素电极；在形成有所述固体部件的基板表面上旋涂一层混合液；在设定时长内，在所述像素电极上施加第一直流电压信号，并在所述混合液中施加第二直流电压信号，且所述第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值；加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂，并对剩余的所述聚合物单体进行固化处理，形成所述像素分隔墙；因此，形成的像素电极、以及位于所述像素电极上方的固体部件完全重合；在初始状态下，固体部件上表面具有亲水性，使得位于固体部件上的混合液能够在固体部件上铺展开；在所述像素电极上施加第一直流电压信号，并在所述混合液中施加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素分隔墙的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层；其中，所述衬底基板包括薄膜晶体管TFT和全面覆盖所述TFT的平坦化层，所述平坦化层包含露出所述TFT的漏极的过孔；采用同一掩膜版，先对所述固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件，再对所述导电膜层进行刻蚀处理以形成与所述固体部件完全重合、且通过所述过孔与所述漏极电连接的像素电极；在形成有所述固体部件的基板表面上旋涂一层混合液，其中，所述混合液包括电润湿溶剂和聚合物单体；在设定时长内，通过分别与所述TFT的栅极和源极电连接的栅线和数据线，在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号，并在所述混合液中施加第二直流电压信号，且所述第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值；加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂，并对剩余的所述聚合物单体进行固化处理，形成所述像素分隔墙；其中，所述固体介质层满足如下特性：在初始状态下，其上表面具有亲水性；而在所述像素电极上施加所述第一直流电压信号，并在所述混合液中施加所述第二直流电压信号时，其上表面由具有亲水性转变为具有疏水性。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新星，姚继开，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11