【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一JFET结构包括具有一第一端子的一第一JFET及与所述第一JFET相邻的一第二JFET。两个JFET共享所述第一端子，且所述第一端子在每一JFET的闸极之间。所述JFET亦提供至少一调谐旋钮以调整夹止电压，且提供一调谐旋钮以调整所述JFET结构的崩溃电压。此外，所述JFET具有作为另一调谐旋钮的一内埋层以调整所述JFET结构的所述夹止电压。【专利说明】高电压接面场效晶体管结构
本专利技术大体上系关于高电压JFET (接面场效晶体管)结构，且更特定的说，是关于嵌入于CMOS电路中的可调谐JFET结构。
技术介绍
对于切换模式电源供应器(下文中称作SMPS)或切换器而言，其为并有切换调节器以有效地转换电功率且通常用以有效地提供经调节的输出电压的电子电源供应器。起动电路通常包括于SMPS中，且用以在转换器开始操作时关闭电力。起动电路之要求为在低泄漏的情况下保持电力关断。与藉由利用电阻器或空乏型MOS作为电力控制之传统方式相比较，采用高电压JFET (接面场效晶体管)来提供高夹止电压及低泄漏。在操作期间，因为对JFET之PN接面加反向偏压，所以源极与...
【技术保护点】
一种JFET结构，其包含：一第一JFET，其具有一第一端子；及一第二JFET，其与所述第一JFET相邻且与所述第一JFET共享所述第一端子，且所述第一端子在每一JFET的闸极之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许维勋，杜硕伦，连士进，吴锡垣，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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