【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】 一种半导体CdS/CdSSe异质结纳米线,其特征在于:所述CdS/CdSSe异质结纳米线中CdS纳米线与CdSSe纳米线之间的界面为陡峭界面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】 技术研发人员:潘安练,郭鹏飞, 申请(专利权)人:湖南大学, 类型:发明 国别省市:湖南;43
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