一种花叶玉簪快速增殖的方法技术

本发明专利技术涉及一种花叶玉簪快速增殖的方法，主要通过外植体的选择及消毒、继代增殖培养、生根培养以及炼苗移栽的步骤，特别是在继代过程中，提高了光照强度，延长了光周期，降低了培养温度，同时采用了转换继代培养基的技术手段，达到了增殖速度快、遗传性状稳定、增殖系数高的优良效果。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，主要通过外植体的选择及消毒、继代增殖培养、生根培养以及炼苗移栽的步骤，特别是在继代过程中，提高了光照强度，延长了光周期，降低了培养温度，同时采用了转换继代培养基的技术手段，达到了增殖速度快、遗传性状稳定、增殖系数高的优良效果。【专利说明】
本专利技术涉及玉簪的增殖方法，特别是一种花叶玉簪的快速增殖方法。
技术介绍
花叶玉簪(Hosta plantaRineu)为百合科玉簪属植物，多年生宿根花卉,是著名观叶植物玉簪的变种，对喜光花卉有极强的互补性，是园林绿化的优良品种。花叶玉簪的引进与推广，极大地提高了其观赏效果，丰富了园林绿化的景观色彩。该品种株矮喜荫，复色叶面，带褶皱，金边银心相互交织，绚丽多彩的叶片呈现出魔幻般的花团锦簇。在城市高大楼群的背侧、立交桥下、庭院大树遮荫处、树篱边等喜阳花卉生长不利的地方均可种植。装盆后，可登堂入室，客厅、书房、大厅、会议室、窗台上均可用它来点缀、装饰，花叶玉簪的花还可散发出淡淡幽香，高雅不凡。花叶玉簪常规的增殖方法主要是通过分株，增殖率低，仅为3~5倍左右，短期内要形成大规模的生产困难较大，如果引进种苗，价格又很高。采用组织培养的增殖方法，可以很好地解决上述难题，但通过花蕾诱导愈伤组织后形成的芽有变异现象发生，有些失去了原来的花叶特征，现有技术中有以下对花叶玉簪组织培养的研究:“花叶玉簪工厂化组培育苗技术研究”，吴国智等，《天津农业科学》，第15卷第5期；“花叶玉簪的组织培养与快速增殖技术研究”，郝砚英等，《天津农业科学》，第12卷第2期等。上述现有技术虽然公开了不同阶段的培养基配方，然而其并没有公开具体操作条件，并且专利技术人在按照上述配方进行操作，用于工厂化育苗进行大量增殖时，特别是在多次继代增殖过程中，发现随着继代次数的增加，变异率迅速提高，严重影响了工厂化生产，为此，专利技术人进行了有针对性的改进。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:，包括:(I)外植体的选择及消毒:于3-4月挖取玉簪根茎，洗净后种植在以珍珠岩为基质上的花盆中，栽植过程中只浇灌自来水，30天后取萌发芽做为外植体；浸于盛有饱和肥皂水的烧杯中5-10分钟，再用自来水冲洗到基本无泡沫，然后再重复上述浸泡冲洗步骤一次；在超净台中先用70%的酒精浸泡I分钟，无菌水冲洗2次，用含有两滴吐温80的5%次氯酸钠溶液消毒10-15分钟，无菌水冲洗5次；再用含有两滴吐温80的0.1 %的升汞消毒10-15分钟，用无菌水冲洗6次；(2)接种培养:将步骤(1)所述的外植体，剥去外层叶片，切取带有潜伏芽的根茎块接种到接种培养基中，每瓶一块；培养温度为24±1°C，12h/d的光周期，光照强度2000Lx左右，培养3-7天开始生长，所述接种培养基为1/2MS+6-BA1.0mg/L+NAA0.lmg/L+蔗糖30g/L,PH6.2 ；(3)增殖培养:将不污染的外植体转入第一代增殖培养基中使芽增殖，所述第一代增殖培养基为 MS+6-BA2-5mg/L+NAA0.2-0.5mg/L+ 蔗糖 30g/L，PH6.2 ;培养温度为20±1℃，光照强度4000-6000LX，光周期14_18h/d ;培养90-120天后，将外植体转入第二代增殖培养基中，所述第二代增殖培养基为MS+6-BA0.5-1.5mg/L+NAA0.1-0.2mg/L+蔗糖30g/L，PH6.2 ;培养温度24±1°C，光照强度2000Lx，光周期10_12h/d ;培养30天左右；(4)生根培养:将增殖培养得到的小芽转入生根培养基中，将较大的芽竖向劈开一分为二再转入生根培养基中，所述生根培养基为1/2MS+NAA0.3mg\L+蔗糖20g/L，PH6.2，培养温度为24± 1°C，12h/d的光周期，光照强度2000Lx左右，20天左右生根，当根长达到3cm左右出瓶；(5)炼苗移栽:先将培养瓶移至温室，自然条件下炼苗4d，然后解开封口膜，炼苗6d，炼苗完成后取出小苗洗净根部附着的培养基，移栽到经消毒的基质中，温度控制在24-26°C，前7d湿度控制在70%左右，以后逐渐降低湿度，直至将移栽苗置于自然条件下，炼苗移栽期间适当遮光，使光照强度为自然光的50%。步骤⑷中所述小芽直径小于0.5cm ;所述较大的芽直径0.5cm以上。步骤(5)所述的基质为蛭石。本专利技术的有益效果是:(I)本申请以芽作为外植体，专利技术人经过大量长期实践操作，发现只有芽作为外植体才能保持花叶的特性；由于玉簪的芽都埋在土中，极易污染，如何防止外植体污染是以后增殖的关键步骤，因此，专利技术人利用珍珠岩作为基质培养花叶玉簪的母株，接种时每瓶接种一块，大大降低了外植体污染的概率，因为，专利技术人在具体操作期间，发现若每瓶接种3-4块外植体，只要有一块外植体污染，即便其它外植体没有污染，整瓶都不能用于后续的继代增殖；(2)在现有技术条件下，花叶玉簪增殖培养几代后，开始出现变异，随增殖培养次数增加，变异率呈几何倍数增加，导致培养失败。本专利技术通过增加光照强度，从现有技术的2000Lx左右提高到4000-6000LX ;光周期从现有技术的12h/d延长到14_18h/d ;增殖培养温度从现有技术的25土1°C降低到20土1°C，达到了以下效果:①抑制了营养生长，促进了芽分化，使增值倍数达到20-25倍；②延长继代周期至90-120d，减少了继代增殖次数，有效降低了变异率，保证了花叶玉簪的遗传稳定性。③在获得同等增值倍数的前提下，增殖接转次数仅为现有技术的1/5，大大提高了增值效率，节约了成本，取得了意料不到的效果；(3)生根时，将较大的苗竖向劈开，每半都能生根，形成完整的植株，因此，在最后阶段，使组培苗数量得到了成倍的增加，达到了大量增殖的目的。【具体实施方式】下面对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。实施例一:，包括:(1)外植体的选择及消毒:于3-4月挖取玉簪根茎，洗净后种植在以珍珠岩为基质上的花盆中，栽植过程中只浇灌自来水，30天后取萌发芽做为外植体；浸于盛有饱和肥皂水的烧杯中5分钟，再用自来水冲洗到基本无泡沫，然后再重复上述浸泡冲洗步骤一次；在超净台中先用70%的酒精浸泡I分钟，无菌水冲洗2次，用含有两滴吐温80的5%次氯酸钠溶液消毒10分钟，无菌水冲洗5次；再用含有两滴吐温80的0.1 %的升汞消毒10分钟，用无菌水冲洗6次；(2)接种培养:将步骤(1)所述的外植体，剥去外层叶片，切取带有潜伏芽的根茎块接种到接种培养基中，每瓶一块；培养温度为23°C，12h/d的光周期，光照强度2000Lx左右，培养3天开始生长，所述接种培养基为1/2MS+6-BA1.0mg/L+NAA0.lmg/L+蔗糖30g/L，PH6.2 ；(3)增殖培养:将不污染的外植体转入第一代增殖培养基中使芽增殖，所述第一代增殖培养基为MS+6-BA2mg/L+NAA0.2mg/L+蔗糖30g/L，PH6.2 ;培养温度为19°C，光照强度4000LX，光周期14h/d ;培养90天后，将外植体转入第二代增殖培养基中，所述第二代增殖培养基为MS+6-BA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种花叶玉簪快速增殖的方法，其特征在于，包括：(1)外植体的选择及消毒：于3‑4月挖取玉簪根茎，洗净后种植在以珍珠岩为基质上的花盆中，栽植过程中只浇灌自来水，30天后取萌发芽做为外植体；浸于盛有饱和肥皂水的烧杯中5‑10分钟，再用自来水冲洗到基本无泡沫，然后再重复上述浸泡冲洗步骤一次；在超净台中先用70％的酒精浸泡1分钟，无菌水冲洗2次，用含有两滴吐温80的5％次氯酸钠溶液消毒10‑15分钟，无菌水冲洗5次；再用含有两滴吐温80的0.1％的升汞消毒10‑15分钟，用无菌水冲洗6次；(2)接种培养：将步骤(1)所述的外植体，剥去外层叶片，切取带有潜伏芽的根茎块接种到接种培养基中，每瓶一块；培养温度为24±1℃，12h/d的光周期，光照强度2000Lx左右，培养3‑7天开始生长，所述接种培养基为1/2MS+6‑BA1.0mg/L+NAA0.1mg/L+蔗糖30g/L，PH6.2；(3)增殖培养：将不污染的外植体转入第一代增殖培养基中使芽增殖，所述第一代增殖培养基为MS+6‑BA2‑5mg/L+NAA0.2‑0.5mg/L+蔗糖30g/L，PH6.2；培养温度为20±1℃，光照强度4000‑6000Lx，光周期14‑18h/d；培养120‑150天后，将外植体转入第二代增殖培养基中，所述第二代增殖培养基为MS+6‑BA0.5‑1.5mg/L+NAA0.1‑0.2mg/L+蔗糖30g/L，PH6.2；培养温度24±1℃，光照强度2000Lx，光周期10‑12h/d；培养30天左右；(4)生根培养：将增殖培养得到的小芽转入生根培养基中，将较大的芽竖向劈开一分为二再转入生根培养基中，所述生根培养基为1/2MS+NAA0.3mg\L+蔗糖20g/L，PH6.2，培养温度为24±1℃，12h/d的光周期，光照强度2000Lx左右，20天左右生根，当根长达到3cm左右出瓶；(5)炼苗移栽：先将培养瓶移至温室，自然条件下炼苗4d，然后解开封口膜，炼苗6d，炼苗完成后取出小苗洗净根部附着的培养基，移栽到经消毒的基质中，温度控制在24‑26℃，前7d湿度控制在70％左右，以后逐渐降低湿度，直至将移栽苗置于自然条件下，炼苗移栽期间适当遮光，使光照强度为自然光的50％。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙国峰，张金政，李晓东，吴东启，林秦文，
申请(专利权)人：中国科学院植物研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11