【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种含噻吩-苯-噻吩单元的聚合物，具有如下结构式：其中，R1为C1～C20的烷基，R2为C1～C20的烷基，n为10～50的整数。该含噻吩-苯-噻吩单元的聚合物含有噻吩-苯-噻吩单元和吩噻嗪单元，其噻吩-苯-噻吩聚合物的空穴迁移率的较高，对太阳光有较高的吸收系数，能隙在1.5eV～1.8eV，在300nm～700nm范围内具有较宽的吸收范围及易修饰的光物理性质，将上述噻吩-苯-噻吩基共聚物应用于太阳能电池中可以解决太阳能电池低效率问题。本专利技术还提供一种上述含噻吩-苯-噻吩单元的聚合物的制备方法及使用该含噻吩-苯-噻吩单元的聚合物的太阳能电池器件。【专利说明】含噻吩-苯-噻吩单元的聚合物及其制备方法和太阳能电池器件【
】本专利技术涉及光电领域，尤其涉及一种含噻吩-苯-噻吩单元的聚合物及其制备方法和使用该含噻吩-苯-噻吩单元的聚合物的太阳能电池器件。【
技术介绍
】自1977年日本科学家白川英树发现聚乙炔导电以来，这种被称为“第四代高分子”材料的导电聚合物以其突出的光电性能吸引了众多科学家进行研究。导电高分子同具有相同或相近用途的无机材料相比，...
【技术保护点】
一种含噻吩‑苯‑噻吩单元的聚合物，其特征在于，具有如下结构式：其中，R1为C1～C20的烷基，R2为C1～C20的烷基，n为10～50的整数。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，张振华，陈吉星，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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