片式LTCC微型3dB定向耦合器制造技术

本发明专利技术公开一种频带宽、体积小、温度性能稳定、插入损耗小、隔离度高、幅度平衡和相位平衡特性好的片式LTCC微型3dB定向耦合器。其包括印刷在底层基片底面四角且具有50欧姆阻抗输入的输入、直通、耦合和隔离四端口，输入和直通端口通过设置在相同基片上的第一、第三不对称带状线和另一基片上的第一耦合带状线相接，耦合和隔离端口通过设置在另一相同基片上的第二、第四不对称带状线和又一基片上的第二耦合带状线相接，第一和第二耦合带状线呈回转形图案且为上下宽边带状耦合。本发明专利技术耦合线呈回转形图案，其可在有限的基片面积上获得较大的耦合线长度，从而获得较宽的频率范围；本发明专利技术结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低赚。

【技术实现步骤摘要】
片式LTCC微型3dB定向耦合器
本专利技术涉及一种用于无线通信或雷达收发信号所用的微波元器件，尤其涉及一种片式LTCC(又称低温共烧陶瓷技术)微型3dB定向耦合器。
技术介绍
微波定向耦合器在射频、微波传输系统中，用于对传输信号的功率进行分配、合成、功率取样与检测，是平衡式放大器、模拟和数字移相器、模拟和数字衰减器等器件的重要部件。标准的微波定向耦合器是在设定的频率范围内将输入信号功率分成一定比例的两个输出信号的四端口网络，当使用该定向耦合器逆向传输信号时，则会有功率合成的作用。片式LTCC微型3dB定向耦合器是微波系统中重要的电子部件，描述这种部件性能的主要技术指标有：工作频率范围、输入/输出电压驻波比、插入损耗、隔离度、耦合度、幅度平衡、相位平衡特性、温度稳定性、体积、重量、可靠性等。其中，耦合度表征了耦合的强弱。片式LTCC微型3dB定向耦合器是四端口元件，通过合理选择耦合结构及尺寸可以使定向耦合器的性能指标达到所需的要求。将定向耦合器的端口设定为输入端口、直通端口、耦合端口和隔离端口，分别用Pi、Pd、Pc和Ps代表。设计和工程中常用的技术指标有以下几种：耦合度：定义为输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式LTCC微型3dB定向耦合器，包括上接地板、下接地板、介于两接地板之间的多层基片（1）以及贴附在基片（1）之上的耦合带状线，其特征在于：所述端口为四个分别印刷在底层基片（1）底面四角且具有50欧姆阻抗输入的依次相邻分布的第一端口（P1）、第二端口（P2）、第三端口（P3）和第四端口（P4），第一端口（P1）和第三端口（P3）分别通过设置在各层基片（1）上对应的导电通道（2）与位于顶部A层基片（A）上的第一不对称带状线（TL1）和第三不对称带状线（TL3）相接，第一不对称带状线（TL1）经设于A层基片（A）中部的第一导电通孔（3）与设置在A层基片（A）之下B层基片（B）上的呈回转形图案的...

【技术特征摘要】
1.一种片式LTCC微型3dB定向耦合器，包括上接地板、下接地板、介于两接地板之间的多层基片(1)以及贴附在基片之上的耦合带状线，其特征在于：所述定向耦合器的端口为四个分别印刷在底层基片底面四角且具有50欧姆阻抗输入的依次相邻分布的第一端口(P1)、第二端口(P2)、第三端口(P3)和第四端口(P4)，第一端口(P1)和第三端口(P3)分别通过设置在多层基片(1)上对应的导电通道(2)与位于顶部A层基片(A)上的第一不对称带状线(TL1)和第三不对称带状线(TL3)相接，第一不对称带状线(TL1)经设于A层基片(A)中部的第一导电通孔(3)与设置在A层基片(A)之下B层基片(B)上的呈回转形图案的第一耦合带状线(CL1)的一端相连，第三不对称带状线(TL3)经设于A层基片(A)侧部的第三导电通孔(5)与所述第一耦合带状线(CL1)的另一端相连；第二端口(P2)和第四端口(P4)分别通过设置在若干层基片上对应的导电通道(2)与位于B层基片(B)下方D层基片(D)上的第二不对称带状线(TL2)和第四不对称带状线(TL4)相接，第四不对称带状线(TL4)经设于D层基片(D)之上C层基片(C)中部的第四导电通孔(6)与设置在C层基片(C)上的呈回转形图案的第二耦合带状线(CL2)的一端相连，第二不对称带状线(TL2)经设于C层基片(C)侧部的第二导电通孔(4)与所述第二耦合带状线(CL2)的另一端相连；所述A层基片(A)、B层基片(B)、C层基片(C)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王卫兰，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：