一种电平移位电路制造技术

本发明专利技术涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于浮动电源轨中的电平移位电路。本发明专利技术的电平移位电路，包括快速响应电路和低功耗电平维持电路，通过快速响应电路的快速响应输入的低压控制信号，产生一窄脉冲来驱动输出信号电平的建立；然后通过低功耗电平维持电路在窄脉冲结束后维持输出信号的电平。本发明专利技术的有益效果为，适用于新一代功率器件的驱动电路中，具有响应速度快和低功耗的特点，可以充分发挥新一代功率器件高工作频率和低功耗的优势。本发明专利技术尤其适用于电平移位电路。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电平移位电路，包括快速响应电路和低功耗电平维持电路，其特征在于，所述快速响应电路包括PMOS管M12、M13、M14、M15、M17、M18，NMOS管M00、M01、M03、M04、M05、M07、M10、M11、M16、M19，CMOS反相器INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6，二极管D1、D2、D3、D4和电容C1、C2；所述低功耗电平维持电路包括PMOS管M26、M27、M33、M34、M35、M36、M37、M38、M39、M42、M43、M44，NMOS管M20、M21、M22、M23、M30、M31、M38、M40、M41、M45、M46，二极管D5、D6、D7、D8和电阻R1、R2、R3；其中，一个外部信号输入端连接INV1的输入端和M01的栅极，另一个外部输入信号端连接INV4的输入端和MO5的栅极，INV1的输出端连接INV2的输入端和M21的栅极，INV4的输出端连接INV5的输入端和M20的栅极；INV2的输出端连接C1的负极和INV3的输入端，INV3的输出端连接M00的栅极，M00的漏极和M01的源极连接，M01的漏极与D1的正极和M03的源极连接，M03的栅极、D1的负极、INV1的正极、INV2的正极、INV3的正极、C1的正极均接电源电压，INV1的负极、INV2的负极、INV3的负极和M00的源极均接地；INV5的输出端连接C2的负极和INV6的输入端，INV6的输出端连接M04的栅极，M04的漏极和M05的源极连接，M05的漏极与D3的正极和M07的源极连接，M07的栅极、D3的负极、INV4的正极、INV5的正极、INV6的正极、C2的正极均接电源电压，INV4的负极、INV5的负极、INV6的负极和M04的源极均接地；M03的漏极与D2的负极、M13的漏极和栅极、M12的栅极、M15的栅极连接，M07的漏极与D4的负极、M17的漏极和栅极、M18的栅极、M14的栅极连接；M12的漏极与M10的漏极连接作为一个输出端LC，M18的漏极和M19的漏极连接作为另一个输出端LD；M10的栅极与M11的栅极和漏极、M14的漏极连接，M19的栅极与M16的栅极和漏极、M15的漏极连接；M12的源极、M13的源极、M14的源极、M15的源极、M17的源极、M18的源极均接浮动电源电压HBA，M10的源极、M11的源极、M16的源极、M19的源极、D2的正极和D4的正极均接浮动电源地电位HS；M20的漏极与D6的正极和M22的源极连接，M21的漏极与D5的正极和M23的源极连接，D5的负极、D6的负极、M22的栅极和M23的栅极均接电源电压，M20的源极和M21的源极均接地；M22的漏极连接M26的漏极，M23的漏极连接M27的漏极，M26的源极与D7的负极、R2的一端和M35的栅极连接，M27的源极与D8的负极、R1的一端和M34的栅极连接；M34的漏极与R2的另一端和M32的栅极连接，M35的漏极与R1的另一端、M36的漏极和M33的栅极连接；M32的漏极与M30的漏极、M41的栅极、M42的栅极连接，M36的栅极与M37的栅极和漏极、R0的一端、M39的栅极和漏极、M43的栅极连接，M39的漏极与M42的源极连接，M42的漏极与M41的漏极连接后与另一个输出端LD连接；M43的漏极与M44的源极连接，M44的栅极与M45的栅极、M33的漏极和M31的漏极连接，M44的漏极与M45的漏极连接后与一个输出端LC连接；M45的源极与M46的漏极连接，M46的栅极、M40的栅极、M38的栅极和漏极、R0的另一端、M31的漏极、M30的栅极连接；M32的源极、M33的源极、M34的源极、M35的源极、M36的源极、M37的源极、M39的源极、M43的源极均接浮动电源电压HBA，D7的正极、D8的正极、M26的栅极、M27的栅极、M30的源极、M31的源极、M38的源极、M40的源极、M46的源极均接浮动电源地电位HS。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周泽坤，吴刚，王霞，孙亚东，石跃，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51