改进的MCM-56制造方法技术

技术编号:10092448 阅读:173 留言:0更新日期:2014-05-28 16:09
本发明专利技术提供一种制造高质量多孔结晶MCM-56材料的改进方法。还涉及由该改进方法制造的MCM-56材料、包含它的催化剂组合物和它在烃化合物催化转化工艺中的用途。一种该转换工艺包括通过可烷基化的芳族化合物(特别是苯)的液相或部分液相烷基化来生产单烷基芳族化合物,特别是乙基苯和枯烯。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种制造合成的多孔结晶MCM‑56材料的方法,包含如下步骤:a)制备含有碱或碱土金属(M)阳离子源、三价金属X的氧化物、四价金属Y的氧化物、沸石晶种和水的第一反应混合物,所述第一反应混合物具有以氧化物的摩尔比计在如下范围内的组成:YO2/X2O3=5至35;H2O/YO2=10至70;OH‑/YO2=0.05至0.20;M/YO2=0.05至3.0;所述第一反应混合物进一步以大于或等于0.05重量%至小于或等于5重量%的量包含沸石晶种,基于第一反应混合物的重量;b)将导向剂R加入到步骤a)的反应混合物中,以形成第二反应混合物,其具有以摩尔比计在如下范围内的所述导向剂R:R/YO2=0.08至0.3;c)将步骤b)的所述第二反应混合物在大约90℃至大约175℃的温度和小于90小时的时间条件下结晶,以形成包含所述MCM‑56材料晶体和小于10重量%非MCM‑56杂质晶体的所得混合物,基于在所述第二反应混合物中所述MCM‑56晶体的总重,这由X射线衍射确认;d)从步骤c)的所述所得混合物中分离并回收至少一部分所述MCM‑56材料的所述晶体;其中所述MCM‑56材料的所述晶体具有下表1中所示的X射线衍射谱图:表1晶面间d‑间距(埃)相对强度12.4±0.2vs9.9±0.3m6.9±0.1w6.4±0.3w6.2±0.1w3.57±0.07m‑s3.44±0.07vs。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:I·D·约翰逊N·A·赫瑞森克W·J·罗瑟T·E·埃尔顿
申请(专利权)人:埃克森美孚化学专利公司
类型:发明
国别省市:美国;US

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1