【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供可形成膜表面的疏水性及平滑性优异且电稳定性优异的绝缘膜的有机半导体绝缘膜用组合物及使用其的有机半导体绝缘膜。本专利技术的有机半导体绝缘膜用组合物含有聚硅氧烷和有机高分子化合物，聚硅氧烷为具有氧杂环丁烷基的笼型倍半硅氧烷、及下式所示的具有氧杂环丁烷基的硅化合物中的至少一者。另外，下式的R1～R3分别独立地表示一价的有机基团(其中，R1～R3中的至少1个为具有氧杂环丁烷基的一价的有机基团。)。v、w、x及y分别独立地表示0或正数(其中，v、x及y中的至少1个和w为正数。)。【专利说明】有机半导体绝缘膜用组合物及有机半导体绝缘膜
本专利技术涉及有机半导体绝缘膜用组合物及有机半导体绝缘膜。进一步详细而言，本专利技术涉及可形成膜表面的疏水性及平滑性优异且电稳定性优异的绝缘膜的有机半导体绝缘膜用组合物、及使用了其的有机半导体绝缘膜。
技术介绍
有机场效应晶体管(OFET)为在活性层使用有机半导体，期待着向有源矩阵显示器、电子纸等的柔性电子学的应用。0FET，为这些的基本的构成单元，原理是用施加于栅极的电压来控制漏电极和源极之间的电流，若提高栅极电压，则漏电极和源极间的电流量变多。为了使晶体管高速工作，需要半导体的电荷载流子迁移率和开/关电流比高。可通过旋涂、印刷这样的溶液工艺制作的涂布型0FET，可实现以往未实现的柔性化、低成本化进而大面积化，因此备受瞩目，正在积极地进行影响OFET的性能的有机半导体的开发。另外，对于OFET的器件特性、工作稳定性而言，已知由于在有机半导体和栅极绝缘膜的界面附近进行电荷载流子的生成、迁移，因此也受到栅...
【技术保护点】
一种有机半导体绝缘膜用组合物，其含有(A)聚硅氧烷和(B)有机高分子化合物，其特征在于，所述(A)聚硅氧烷为具有氧杂环丁烷基的笼型倍半硅氧烷、及下述式(1)所示的具有氧杂环丁烷基的硅化合物中的至少一者，式(1)中，R1、R2及R3分别独立地表示具有碳数1～6的烷基、碳数7～10的芳烷基、碳数6～10的芳基、(甲基)丙烯酰基、环氧基、或氧杂环丁烷基的一价的有机基团，其中，R1、R2及R3中的至少1个为具有氧杂环丁烷基的一价的有机基团，所述一价的有机基团可以用卤素原子、羟基、烷氧基、芳氧基、芳烷氧基或氧基取代，各R2可以相同，也可以不同，各R3可以相同，也可以不同，w表示正数，v、x及y分别独立地表示0或正数，其中，v、x及y中的至少1个为正数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：铃木浩，北村昭宪，滨田崇，
申请(专利权)人：东亚合成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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