一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体及其水相制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体其为具有磁性的Gd掺杂的CdTe纳米晶体，10≤Cd/Gd的摩尔比≤50，其荧光发射波长可调，其荧光量子产率高。本发明专利技术还公开该Gd掺杂的CdTe纳米晶体的水相制备方法及其在荧光-核磁共振双模式成像中的应用。本发明专利技术制备方法在水溶液中进行，具有原料易得、成本低、操作简单安全、可控性强等优点。本发明专利技术Gd掺杂的CdTe纳米晶体的水溶性好、荧光发射波长可调、荧光量子产率高、生物相容性好，具有优良荧光和磁性性质，具有非常好的荧光-磁共振双模式成像性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Gd掺杂的CdTe纳米晶体，其特征在于，其为具有磁性的Gd掺杂的CdTe纳米晶体，10≤Cd/Gd的摩尔比≤50，其荧光发射波长可调，其荧光量子产率高；所述荧光发射波长的可调范围为500～750nm；所述荧光量子产率达30％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭晖，沈志涛，王依婷，罗春花，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：上海;31