【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通过生成沉积源的蒸汽从而在对象表面形成薄膜的薄膜形成装置,尤其涉及以等离子蚀刻方式形成图案的薄膜形成装置及使用该装置的薄膜形成方法。
技术介绍
例如,在如形成有机发光显示装置的薄膜的工序等薄膜制造工序中,经常使用通过生成沉积源的蒸汽、并使其附着在基板表面上的沉积工序。另外,作为以一定的图案形成薄膜的方法有:在沉积时通过使用图案掩模板,以在进行沉积的同时实施图案化的方法;以及进行沉积以使得薄膜形成在对象的整个表面上,最后以等离子蚀刻方式对不需要的部分进行蚀刻的方法。近年来,由于考虑到可以简化沉积过程的优点,因此优选采用以等离子蚀刻方式对薄膜进行图案化的后一方法。但是,如上所述,当以等离子蚀刻方式对薄膜进行图案化时,经常发生不应该被去除的部分也被等离子气体蚀刻,从而难以准确地实施图案化。即,经常发生等离子气体不仅对应该被去除的区域进行准确的去除,而且对应该被保留的相邻正常残留区域也进行蚀刻。此时,产品的质量会急剧下降, ...
【技术保护点】
一种薄膜形成装置,包括:掩模板,具有用于形成预定图案的阻断部和开放部,并且设置在形成有薄膜的基板上;以及蚀刻源,通过所述掩模板的开放部喷射蚀刻气体,从而与所述图案相对应地蚀刻所述薄膜;其中,所述掩模板具有用于向所述开放部周围吹入气体以使得所述蚀刻气体不会渗透至与所述阻断部对应的薄膜区域的气体吹动器。
【技术特征摘要】
2012.11.13 KR 10-2012-01283731.一种薄膜形成装置,包括:
掩模板,具有用于形成预定图案的阻断部和开放部,并且设置在
形成有薄膜的基板上;以及
蚀刻源,通过所述掩模板的开放部喷射蚀刻气体,从而与所述图
案相对应地蚀刻所述薄膜;
其中,所述掩模板具有用于向所述开放部周围吹入气体以使得所
述蚀刻气体不会渗透至与所述阻断部对应的薄膜区域的气体吹动器。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置,其中,所述掩模板还包
括:
关闭件,用于调整所述开放部的尺寸。
3.根据权利要求1所述的薄膜形成装置,其中,
所述蚀刻气体是等离子气体。
4.根据权利要求1所述的薄膜形成装置,其中,
所述蚀刻源被固定设置成与所述掩模板的开放部相对应。
5.根据权利要求1所述的薄膜形成装置,其中,
所述蚀刻源用于对所述基板的整个表面喷射所述蚀刻气体。
6.根据权利要求1所述的薄膜形成装置,其中,
所述蚀刻源用于在所述掩模板上进行往返移动并喷射所述蚀刻气
体。
7.根据权利要求1所述的薄膜形成装置,其中,所述蚀刻源包括:
喷射部,用于喷射所述蚀刻气体;
气帘部,用于在所述喷射部...
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