焊料、接点结构及接点结构的制作方法技术

本发明专利技术公开一种焊料、接点结构及接点结构的制作方法。焊料包括锌基金属层、铜金属膜与贵金属膜。铜金属膜完全覆盖锌基金属层的表面，而贵金属膜完全包覆铜金属膜。接点结构包括锌基金属层以及介金属层。介金属层由锌与贵金属所组成，且介金属层完全覆盖锌基金属层的表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置及其制作方法，且特别是涉及一种接点结构、用于形成接点结构的焊料及接点结构的制作方法。
技术介绍
为了提升功率模块的能量转换效率，以碳化硅（silicon carbide,SiC）或氮化镓（gallium nitride,GaN）取代硅基底来制作元件，被视为新一代的功率半导体开关技术。以碳化硅元件为例，其提供更低的导通阻抗，更快的切换速度，更低的功率损失（power loss），且可承受更高温的操作环境，符合高功率元件技术的发展趋势。然而，芯片的接面温度（junction temperature,Tj）在硅基功率模块运作时仅约为150°C，尚在无铅焊锡（例如Sn3.0Ag0.5Cu）可忍受的温度范围内。导入碳化硅功率模块后，以中小瓦数的电源管理模块而言，Tj高于175°C。而Sn3.0Ag0.5Cu的起始熔化温度仅217°C，在此温度环境下，将会发生剧烈的潜变（creep）效应，不利于接点机械强度的维持，无法满足对长期可靠度的要求，更遑论应用于Tj高达2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种焊料，包括：锌基金属层，具有表面；铜金属膜，完全覆盖该锌基金属层的该表面；以及贵金属膜，完全包覆该铜金属膜。

【技术特征摘要】
2012.11.15 TW 1011426711.一种焊料，包括：
锌基金属层，具有表面；
铜金属膜，完全覆盖该锌基金属层的该表面；以及
贵金属膜，完全包覆该铜金属膜。
2.如权利要求1所述的焊料，其中该锌基金属层的材料包括锌、锌锡合
金、锌铝合金或锌铝铜合金，且在该锌基金属层中，锌占的比例大于90wt%。
3.如权利要求1所述的焊料，其中该贵金属膜的材料包括金、银或钯。
4.一种接点结构，包括：
锌基金属层，具有表面；以及
介金属层，由锌与贵金属所组成，该介金属层完全覆盖该锌基金属层的
该表面。
5.如权利要求4所述的接点结构，其中该锌基金属层的材料包括锌、锌
锡合金、锌铝合金或锌铝铜合金，且在该锌基金属层中，锌占的比例大于90
wt%。
6.如权利要求4所述的接点结构，其中该贵金属包括金、银或钯。
7.如权利要求4所述的接点结构，其中该介金属层的材料包括AuZn、
AuZn3、AuZn8、Au5Zn3、Au3Zn7、AuZn2、AuZn7、AuZn4、AgZn、AgZn3、
Ag5Zn8、PdZn、Pd2...

【专利技术属性】
技术研发人员：高国书，张道智，陈文志，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：