银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料及其制备方法技术

技术编号:10068320 阅读:156 留言:0更新日期:2014-05-23 09:48
本发明专利技术公开了一种银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料,其包括银纳米晶和CdSe/ZnS量子点,所述银纳米晶和CdSe/ZnS量子点之间由静电作用结合而成,其颗粒形貌均一,分散性良好,发光效率高。本发明专利技术还公开了银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料的制备方法,该方法可在常温常压下进行,简单易行,成本低,适于广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料,其特征在于,其包括银纳米晶和CdSe/ZnS量子点,所述银纳米晶和CdSe/ZnS量子点之间由静电作用结合而成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杜玲茅惠兵王基庆
申请(专利权)人:华东师范大学
类型:发明
国别省市:

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