钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜、制备方法及其应用技术

一种钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜，其化学式为MeBO3:xSm3+，其中0.01≤x≤0.05，MeBO3是基质，钐元素是激活元素，Me为Y、La、Gd或Lu。该钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在638nm和727nm位置都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜，其化学式为MeBO3:xSm3+，其中0.01≤x≤0.05，MeBO3是基质，钐元素是激活元素，Me为Y、La、Gd或Lu。该钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在638nm和727nm位置都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本专利技术还提供该钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。【专利说明】钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜、制备方法及其应用【
】本专利技术涉及一种钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜及其其制备方法、以及薄膜电致发光器件及其制备方法。【
技术介绍
】薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的薄膜，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜，仍未见报道。【
技术实现思路
】基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜及其其制备方法、以及薄膜电致发光器件及其制备方法。一种钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜，其化学式为MeBO3:xSm3+，其中0.01≤x≤0.05，MeBO3是基质，衫元素是激活元素，Me为Y、La、Gd或Lu。在优选的实施例中，衫掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的厚度为50nm~400nm。一种钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤:根据MeBO3: XSm3+各元素的化学计量比将Me203、B2O3和Sm2O3粉体，经过混合后,在900°C~1300°C下烧结得到靶材；将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0X KT3Pa ~LOXKT5Pa ；调苄基靶间距为45mm~95mm，衬底的温度为250°C~750°C，工作气体的流量为IOsccm~40sccm，工作压强为0.5Pa~5Pa，脉冲激光能量为80W~300W，进行脉冲激光沉积得到化学式为MeB03:xSm3+的钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜，其中，0.01≤x≤0.05，MeBO3是基质，衫元素是激活元素，Me为Y、La、Gd或Lu。在优选的实施例中，基靶间距为60mm，衬底的温度为500°C，工作气体的流量为20SCCm，工作压强为3Pa，脉冲激光能量为150W。在优选实施例中，衫掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的厚度为50nm~400nm。一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜，该钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的化学式为MeBO3:xSm3+，其中0.01 < x < 0.05，MeBO3是基质，钐元素是激活元素，Me 为 Y、La、Gd 或 Lu。在优选的实施例中，衫掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的厚度为50nm~400nm。一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:提供具有阳极的衬底；在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜，该钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的化学式为MeBO3:XSm3+，其中0.01 < x < 0.05,MeBO3是基质，衫元素是激活元素，Me为Y、La、Gd或Lu ;在所述发光层上形成阴极。在优选的实施例中，所述发光层的制备包括以下步骤:根据MeBO3: XSm3+各元素的化学计量比将Me203、B2O3和Sm2O3粉体，经过混合后,在900°C~1300°C下烧结得到靶材；将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0X KT3Pa ~LOXKT5Pa ；调苄基靶间距为45mm~95mm，衬底的温度为250°C~750°C，工作气体的流量为IOsccm~40sccm，工作压强为0.5Pa~5Pa，脉冲激光能量为80W~300W，进行脉冲激光沉积得到化学式为MeBO3:xSm3+的钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜，其中0.01 < x < 0.05，MeBO3是基质，衫元素是激活元素，Me为Y、La、Gd或Lu。上述钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜(MeBO3: xSm3+)的电致发光光谱(EL)中，在638nm和727nm位置都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。【【专利附图】【附图说明】】图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图；图2为实施例1制备的钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的电致发光谱图；`图3为实施例1制备的钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的XRD图。图4为实施例1制备的薄膜电致发光器件的电压与电流和亮度关系图。【【具体实施方式】】下面结合附图和具体实施例对钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜、其制备方法和薄膜电致发光器件及其制备方法作进一步阐明。一实施方式的钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜，其化学式为MeB03:XSm3+，其中0.01≤X≤0.05, MeBO3是基质，钐元素是激活元素，Me为Y、La、Gd或Lu。优选的，衫掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的厚度为50nm~400nm。x为0.03。更优选的，钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的厚度为120nm。该钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜中MeBO3是基质，钐元素是激活元素。该钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在638nm和727nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。上述钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤:步骤S11、根据MeB03:xSm3+各元素的化学计量比将Me203、B2O3和Sm2O3粉体，经过混合后，在900°C~1300°C下烧结得到靶材；将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为L0X10_3Pa ~1.0X10_5Pa。在本实施方式中，衬底为铟锡氧化物玻璃(ITO)，可以理解，在其他实施例中，也可以为掺氟氧化锡玻璃(FTO)、掺招的氧化锌(AZO)或掺铟的氧化锌(IZO);衬底先后用甲苯、丙酮和乙醇超声清洗5分钟，然后用蒸馏水冲洗干净，氮气风干后送入反应室。优选的，在1250°C下烧结得到靶材；反应室的真空度为5.0X 10_4Pa。步骤S13、调苄基靶间距为45mm~95mm，衬底的温度为250°C~750°C，工作气体的流量为IOsccm~40sccm，工作压强为0.5Pa~5Pa，脉冲激光能量为80W~300W，进行脉冲激光沉积得到化学式为MeB03:XSm3+的钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜，其中，0.01≤x≤0.05, MeBO3是基质，钐元素是激活元素，Me为Y、La、Gd或Lu。在优选的实施例中，基靶间距为60mm，衬底的温度为500°C，工作气体的流量为20SCCm，工作压强为3Pa，脉冲激光能量为150W。在优选实施例中，衫掺杂稀土硼酸盐发光薄膜的厚度为50nm~400nm。在优选实施例中，工作气体为氧气。步骤S14、进行化学气相沉积得到钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜其化学式为MeBO3: xSm3+，其中0.01≤x≤0.05,MeBO3是基质，钐元素是激活元素，Me为Y、La、Gd或Lu。请参阅图1，一实施方式的薄膜电致发光器件100，该薄膜电致发光器件100包括依次层叠的衬底1、阳极2、发光层3以及阴极4。衬底I为玻璃衬底。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钐掺杂稀土硼酸盐发光薄膜，其特征在于，其化学式为MeBO3:xSm3+，其中0.01≤x≤0.05，MeBO3是基质，钐元素是激活元素，Me为Y、La、Gd或Lu。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，张振华，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：