一种超细硅纳米线阵列的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种超细硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料的制备及应用领域。本发明专利技术提出以二元或多元金属(合金)作为催化剂，使用金属辅助化学腐蚀法对硅片进行腐蚀，可得到超细直径的硅纳米线阵列。并且通过改变沉积或注入催化剂的各种参数，可有效调控催化剂的大小、形貌、分布、催化活性以及腐蚀过程中的物理化学稳定性，最终得到密度(填充因子)、直径、长度、表面形貌、粗糙度可调的硅纳米线阵列。本制备方法可高效低耗快速制备出超细硅纳米线阵列，适宜大规模工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种超细硅纳米线阵列的制备方法，其特征是：使用二元或多元金属(合金)作为金属辅助化学腐蚀法制备超细硅纳米线阵列的催化剂，通过改变沉积(或注入)金属的数量、种类、顺序、剂量、能量以及沉积(或注入)的方法，以调控硅片表面催化剂颗粒的大小、形貌、分布以及催化活性，提高腐蚀过程中催化剂的物理化学稳定性；最终通过化学法腐蚀硅片获得直径、形态、填充因子、表面粗糙度可调的超细硅纳米线阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑瑞廷，谭植元，程国安，
申请(专利权)人：北京师范大学，
类型：发明
国别省市：