一种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路制造技术

本实用新型专利技术公告了一种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，设置在1／4扫描行列分控的LED显示屏的行驱动电路中，其特征在于：在相应的译码芯片行控制线输出端、场效应管的行线输出端和公共地之间设有三极管开关电路，当行控制线输出端由输出低电平变为高电平时，行线输出端将行电源迅速拉低，随着隔离电容的充电，断开与公共地的连接，且选择器件参数使一帧图像内前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间，与行电源的下降时间近似。电路简单，成本较低，可以有效消除同列它行LED在行电源的驱动下非控点亮，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，也可以显著改善LED显示屏拖尾现象，使人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公告了一种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，设置在1／4扫描行列分控的LED显示屏的行驱动电路中，其特征在于：在相应的译码芯片行控制线输出端、场效应管的行线输出端和公共地之间设有三极管开关电路，当行控制线输出端由输出低电平变为高电平时，行线输出端将行电源迅速拉低，随着隔离电容的充电，断开与公共地的连接，且选择器件参数使一帧图像内前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间，与行电源的下降时间近似。电路简单，成本较低，可以有效消除同列它行LED在行电源的驱动下非控点亮，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，也可以显著改善LED显示屏拖尾现象，使人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应。【专利说明】—种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路
本技术涉及LED显示屏，特别是涉及一种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode，缩略词为LED)显示屏大多采用扫描方式，扫描屏通用的控制方式为行列分控方式，即通常所说的扫描方式，LED显示屏的多扫描模式通常包括I / 2扫描模式、I / 4扫描模式、I / 8扫描模式和I / 16扫描模式,这些扫描模式下的LED反向漏电改善电路结构类似，下面以I / 4扫描模式为例对现有LED反向漏电改善电路予以说明。LED显示屏的驱动电路中的行驱动功率管，基本都是采用双P沟道金属-氧化物 _半导体场效应管(Metal-Oxide-S emiconductor Field-Effect-Transistor,缩略词为M0SFET) 4953，其内部包括相互独立的双P沟道场效应管M0SFET1、M0SFET2,具有超低的导通电阻，驱动两个显示行，I / 4扫描行列分控驱动电路如图1所示。I / 4扫描模式的LED显示屏的一帧图像内每行LED只显示I / 4时间，行选信号经高速硅栅互补MOS (Complementary M0S,缩略词为CMOS)译码芯片74HC138译码后分别控制M0SFET4953的双P沟道场效应管MOSFET1、M0SFET2的栅极G1、G2。由于场效应管MOSFET1、M0SFET2的寄生电容以及分布电容的影响，行电源上升时间很短，可以忽略不计，但是，行电源下降时间Tf>100ii S，导致在一帧图像内，前一行与后一行存在近似为行电源下降时间Tf的重叠时间Tn约IOOy S，在列功率管闭合时，显示下一行时前一行仍然会在重叠时间Tn内点亮，在人的视觉里会出现拖尾现象，又称“前一行在微亮”的效应。所述“前一行在微亮”的程度与重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn / Tm成正比，如果帧频为500Hz，每行的显示时间为 Tm=IOOO/ (500X4)=0.5ms，重叠比值为 Tn/Tm=0.1 / (1000 / (4X 500)) =20%,如此大的重叠比值对应的“前一行在微亮”的效应会严重影响显示效果。现有解决拖尾现象的方法是在场效应管M0SFET1、M0SFET2的行线输出端各添加一接地用电阻到公共地，将各行线上的电荷泄放到公共地，且通过选择接地用电阻的阻值缩短行电源的下降时间Tf，例如选择接地用电阻的阻值为27KQ，行电源的下降时间Tf约30ns左右，相应的重叠比值Tn / Tm=30X10-6 / (1000) / (4X500)) =0.006%，可以一定程度的解决拖尾现象，但是，如果某一列上的某行LED存在反向漏电时，当列功率管关断时，而译码芯片74HC138的二进制加权地址输入端AO、Al输入的行选信号一直在变化。行选信号经译码芯片74HC138的互斥的低有效的行控制线输出端YO输出行控制线，至双P沟道M0SFET4953内部的场效应管MOSFETI的控制脚2，即场效应管M0SFET1的栅极G1，控制场效应管M0SFET1相连的7、8脚，即场效应管M0SFET1的行线输出端Hl的行线输出；行选信号经译码芯片74HC138的互斥的低有效的行控制线输出端Yl输出行控制线，至双P沟道M0SFET4953内部包括的两个独立的、P沟道场效应管M0SFET1的控制脚4，即场效应管MOSFETI的栅极G2，控制场效应管MOSFETI相连的5、6脚，即场效应管MOSFETI的行线输出端H2的行线输出；行选信号经译码芯片74HC138的互斥的低有效的行控制线输出端Y2输出行控制线，至双P沟道M0SFET4953内部包括的两个独立的、P沟道场效应管M0SFET2的控制脚2，即场效应管M0SFET2的栅极Gl，控制场效应管M0SFET2相连的7、8脚，即场效应管M0SFET2的行线输出端H3的行线输出；行选信号经译码芯片74HC138的互斥的低有效的行控制线输出端Y3输出行控制线，至双P沟道M0SFET4953内部包括的两个独立的、P沟道场效应管M0SFET2的控制脚4，即场效应管M0SFET2的栅极G2，控制场效应管M0SFET2相连的5、6脚，即场效应管M0SFET2的行线输出端H4的行线输出。场效应管M0SFET1的1、3脚连接VCC，只有当场效应管M0SFET1的控制脚2，即场效应管M0SFET1的栅极Gl为低电平时，所对应的行电源导通，相连的7、8脚，即场效应管MOSFETI的行线输出端Hl输出行线，否则输出为高阻状态，漏极Dl开路；只有当场效应管MOSFETI的控制脚4，即场效应管M0SFET1的栅极G2为低电平时，所对应的行电源导通，相连的5、6脚，即场效应管M0SFET1的行线输出端H2输出行线，否则输出为高阻状态，漏极D2开路；场效应管M0SFET2的1、3脚连接VCC，只有当场效应管M0SFET2的控制脚2，即场效应管M0SFET2的栅极Gl为低电平时，所对应的行电源导通，相连的7、8脚，即场效应管MOSFETI的行线输出端H3输出行线，否则输出为高阻状态，漏极Dl开路；只有当场效应管M0SFET2的控制脚4，即场效应管M0SFET2的栅极G2为低电平时，所对应的行电源导通，相连的5、6脚，S卩场效应管M0SFET2的行线输出端H4输出行线，否则输出为高阻状态，漏极D2开路。当列功率管关断时，在I / 4扫描的LED点阵显示屏中的行线H1、H2、H3和H4依次输出过程中，同列的其它行上的LED将通过同列反向漏电的LED以及与反向漏电LED所对应行线上相连接的接地用电阻到公共地形成回路，在场效应管M0SFET1，M0SFET2行线输出下，即行电源的驱动下同列的其它行上的LED将不受控制的点亮，即非控点亮，如果非控点亮的LED点数大于I / 10000，会影响LED显示屏的显示效果。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是弥补上述现有技术的缺陷，提供一种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路。本技术的技术问题通过以下技术方案予以解决。这种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，设置在I / 4扫描行列分控的LED显示屏的行驱动电路中，所述行驱动电路包括设有二进制加权地址的行选信号输入端A0、Al和互斥的低有效的行控制线输出端YO、Yl、Y2、Y3的译码芯片74HC138，以及与所述译码芯片74HC138连接的双P沟道金属-氧化物-半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，设置在1／4扫描行列分控的LED显示屏的行驱动电路中，所述行驱动电路包括设有二进制加权地址的行选信号输入端A0、A1和互斥的低有效的行控制线输出端Y0、Y1、Y2、Y3的译码芯片74HC138，以及与所述译码芯片74HC138连接的双P沟道金属?氧化物?半导体场效应管MOSFET4953，其内部包括两个独立的P沟道场效应管MOSFET1、MOSFET2，所述输出端Y0与场效应管MOSFET1的控制脚2，即场效应管MOSFET1的栅极G1连接，所述输出端Y1与场效应管MOSFET1的控制脚4，即场效应管MOSFET1的栅极G2连接，所述输出端Y2与场效应管MOSFET2的控制脚2，即场效应管MOSFET2的栅极G1连接，所述输出端Y3与场效应管MOSFET2的控制脚4，即场效应管MOSFET2的栅极G2连接，场效应管MOSFET1相连的7、8脚是行线输出端H1，场效应管MOSFET1相连的5、6脚是行线输出端H2，场效应管MOSFET2相连的7、8脚是行线输出端H3，场效应管MOSFET2相连的5、6脚是行线输出端H4，其特征在于：?在所述行控制线输出端Y0、所述行线输出端H1和公共地之间设有第一三极管开关电路，所述第一三极管开关电路包括第一三极管、连接在所述行控制线输出端Y0与所述第一三极管基极之间由第一隔离电阻和第一隔离电容组成的第一耦合支路、连接在所述第一三极管基极与发射极之间的第一极间电阻，以及连接在所述第一三极管集电极与所述行线输出端H1之间的第一集电极电阻，所述行控制线输出端Y0和公共地是所述第一三极管开关电路的输入端，所述行线输出端H1和公共地是所述第一三极管开关电路的输出端；?在所述行控制线输出端Y1、所述行线输出端H2和公共地之间设有第二三极管开关电路，所述第二三极管开关电路与第一三极管开关电路的组成以及元器件完全相同，所述第二三极管开关电路包括第二三极管、连接在所述行控制线输出端Y1与所述第二三极管基极之间由第二隔离电阻和第二隔离电容组成的第二耦合支路、连接在所述第二三极管基极与发射极之间的第二极间电阻，以及连接在所述第二三极管集电极与所述行线输出端H2之间的第二集电极电阻，所述行控制线输出端Y1和公共地是所述第二三极管开关电路的输入端，所述行线输出端H2和公共地是所述第二三?极管开关电路的输出端；?在所述行控制线输出端Y2、所述行线输出端H3和公共地之间设有第三三极管开关电路，所述第三三极管开关电路与第一三极管开关电路的组成以及元器件完全相同，所述第三三极管开关电路包括第三三极管、连接在所述行控制线输出端Y2与所述第三三极管基极之间由第三隔离电阻和第三隔离电容组成的第三耦合支路、连接在所述第三三极管基极与发射极之间的第三极间电阻，以及连接在所述第三三极管集电极与所述行线输出端H2之间的第三集电极电阻，所述行控制线输出端Y2和公共地是所述第三三极管开关电路的输入端，所述行线输出端H3和公共地是所述第三三极管开关电路的输出端；?在所述行控制线输出端Y3、所述行线输出端H4和公共地之间设有第四三极管开关电路，所述第四三极管开关电路与第一三极管开关电路的组成以及元器件完全相同，所述第四三极管开关电路包括第四三极管、连接在所述行控制线输出端Y3与所述第四三极管基极之间由第四隔离电阻和第四隔离电容组成的第四耦合支路、连接在所述第四三极管基极与发射极之间的第四极间电阻，以及连接在所述第四三极管集电极与所述行线输出端H4之间的第四集电极电阻，所述行控制线输出端Y3和公共地是所述第四三极管开关电路的输入端，所述行线输出端H4和公共地是所述第四三极管开关电路的输出端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王占明，钟涛，卢青松，李鸥，谢群，
申请(专利权)人：深圳市大族元亨光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：