本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以提高薄膜晶体管电极和与之相连的膜层之间的密接性，同时有效的阻止薄膜晶体管电极中的原子扩散到与之相连的膜层中，提高薄膜晶体管的可靠性，降低生产成本。所述薄膜晶体管，包括：栅极、源极和漏极，其中所述薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述栅极、源极和漏极中的至少一个的一侧或两侧，其中，所述缓冲层与该缓冲层接触的所述栅极、源极和/或漏极，是采用相同刻蚀液刻蚀得到的。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以提高薄膜晶体管电极和与之相连的膜层之间的密接性，同时有效的阻止薄膜晶体管电极中的原子扩散到与之相连的膜层中，提高薄膜晶体管的可靠性，降低生产成本。所述薄膜晶体管，包括：栅极、源极和漏极，其中所述薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述栅极、源极和漏极中的至少一个的一侧或两侧，其中，所述缓冲层与该缓冲层接触的所述栅极、源极和/或漏极，是采用相同刻蚀液刻蚀得到的。【专利说明】—种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
平板显示器(Flat Panel Display, FPD)或薄膜太阳能电池等近年来所制造的电气产品都在基板上配置有薄膜晶体管，薄膜晶体管(Thin FiIm Transistor，TFT)是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。液晶显示器上的每一液晶像素点都是由集成在其后的TFT来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息。近年来，在半导体集成电路、FPD中的薄膜晶体管的电极、布线上开始使用低电阻的铜薄膜，由于铜的电阻较低，可以提高数字信号的传达速度，并降低耗电量。然而铜薄膜与薄膜晶体管中的半导体有源层的密接性较差，此外，铜薄膜中的铜原子会扩散至与之接触的半导体有源层中，影响半导体有源层的特性。另外，铜薄膜与衬底基板以及绝缘层的密接性也较差，在实际使用过程中，铜薄膜容易脱落，降低产品的寿命。综上所述，现有技术中薄膜晶体管的电极采用低电阻的铜薄膜时，会降低薄膜晶体管的可靠性。
技术实现思路
本专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以提高薄膜晶体管电极和与之相连的膜层之间的密接性，同时有效的阻止薄膜晶体管电极中的原子扩散到与之相连的膜层中，提高薄膜晶体管的可靠性，降低生产成本。根据本专利技术提供的一种薄膜晶体管，包括:栅极、源极和漏极，其中，所述薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述栅极、源极和漏极中的至少一个的一侧或两侧，其中，所述缓冲层与该缓冲层接触的所述栅极、源极和/或漏极，是采用相同刻蚀液刻蚀得到的。由本专利技术提供的一种薄膜晶体管，由于该薄膜晶体管包括位于所述栅极、源极和漏极中的至少一个的一侧或两侧的缓冲层，其中，用于刻蚀所述缓冲层的刻蚀液，与用于刻蚀所述栅极、源极和/或漏极的刻蚀液相同，故可以提高薄膜晶体管栅极、源极和漏极和与之相连的膜层之间的密接性，同时有效的阻止薄膜晶体管栅极、源极和漏极中中的原子扩散到与之相连的膜层中，提高薄膜晶体管的可靠性，降低生产成本。较佳地，所述栅极、源极和漏极中含有金属铜。这样，当栅极、源极和漏极中的至少一种电极中含有金属铜时，由于金属铜的电阻较低，可以有效的降低电能的损耗。较佳地，所述缓冲层的材料为合金材料。这样，用合金材料作缓冲层，能够制备出高密接性的阻挡膜。较佳地，所述合金材料为CuXN，其中X表示非铜的金属元素。这样，当合金材料中含有金属Cu和非金属氮N元素时，在实际生产中更容易制备，且制备得到的缓冲层为高密接性的阻挡膜。较佳地，所述X元素的含量为0.05%_30%。这样，当X元素的含量为0.05%-30%时，得到的缓冲层具有更好的密接性和阻挡性。较佳地，所述X元素为金属钙、镁、锂、锗、锶和钡元素中的至少一种元素。这样，当合金材料中的X元素为金属钙、镁、锂、锗、锶和钡元素中的至少一种元素时，能够方便的制备得到高密接性的阻挡膜。本专利技术还提供了一种阵列基板，包括扫描线和数据线，该阵列基板还包括上述的薄膜晶体管。由本专利技术提供的阵列基板，由于该阵列基板包括上述的薄膜晶体管，因此，该阵列基板的可靠性较强，生产成本较低。较佳地，所述阵列基板还包括位于所述扫描线的一侧或两侧的缓冲层。这样，当扫描线的材料为金属Cu时，由于该阵列基板还包括位于所述扫描线的一侧或两侧的缓冲层，而缓冲层为高密接性的阻挡膜，因此，可以提高阵列基板的可靠性。较佳地，所述阵列基板还包括位于所述数据线的一侧或两侧的缓冲层。这样，当数据线的材料为金属Cu时，由于该阵列基板还包括位于所述数据线的一侧或两侧的缓冲层，而缓冲层为高密接性的阻挡膜，因此，可以提高阵列基板的可靠性。较佳地，所述缓冲层的材料为合金材料。这样，用合金材料作缓冲层，能够制备出高密接性的阻挡膜。较佳地，所述合金材料为CuXN,其中X表不非铜的金属兀素。这样，当合金材料中含有金属Cu和非金属氮N元素时，在实际生产中更容易制备，且制备得到的缓冲层为高密接性的阻挡膜。本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。由本专利技术提供的显示装置，包括上述的阵列基板，因此该显示装置的可靠性较强，生产成本较低。本专利技术还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括制备栅极、源极和漏极的方法，所述方法还包括:通过在通入氮化气体的真空中对合金靶材进行溅射，在栅极、源极和漏极中的至少一个的一侧或两侧形成缓冲层，其中，所述缓冲层在刻蚀过程中与该缓冲层接触的所述栅极、源极和/或漏极使用相同的刻蚀液。由本专利技术提供的薄膜晶体管的制备方法，通过在通入氮化气体的真空中对合金靶材进行溅射，在栅极、源极和漏极中的至少一个的一侧或两侧形成缓冲层，其中，所述缓冲层在刻蚀过程中与所述栅极、源极和/或漏极使用相同的刻蚀液，该方法可以提高薄膜晶体管栅极、源极和漏极和与之相连的膜层之间的密接性，同时有效的阻止薄膜晶体管栅极、源极和漏极中的原子扩散到与之相连的膜层中，提高薄膜晶体管的可靠性，降低生产成本。较佳地，所述合金靶材的材料为CuXN，其中X表示非铜的金属元素。这样，合金靶材为CuXN时，可以制备出高密接性的阻挡膜。较佳地，所述通入的氮化气体在溅射形成缓冲层时的分压为1%_30%。这样，当氮化气体在溅射形成缓冲层时的分压为1%_30%时，制备得到的缓冲层具有更好的密接性和阻挡性。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管中缓冲层位于栅极一侧的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管中缓冲层位于源极和漏极一侧的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管中缓冲层位于栅极、源极和漏极一侧的结构不意图；图4为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管中缓冲层位于栅极两侧的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管中缓冲层位于源极和漏极两侧的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管中缓冲层位于栅极、源极和漏极两侧的结构不意图；图7为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。【具体实施方式】本专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以提高薄膜晶体管电极和与之相连的膜层之间的密接性，同时有效的阻止薄膜晶体管电极中的原子扩散到与之相连的膜层中，提高薄膜晶体管的可靠性，降低生产成本。本专利技术具体实施例提供的薄膜晶体管，包括:栅极、源极和漏极，其中该薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述栅极、源极和漏极中的至少一个的一侧或两侧，所述缓冲层与该缓冲层接触的所述栅极、源极和/或漏极，是采用相同刻蚀液刻蚀得到的。下面给出本专利技术具体实施例提供的技术方案的详细介绍。下面具体地以底栅极薄膜晶体管为本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李正亮，刘震，丁录科，张斌，曹占锋，惠官宝，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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