一种铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料，其化学式为LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+，其中LaaGdbLucSiO5是基质，铕离子和铽离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，a为0~2，b为0~2，c为0~2，且a+b+c=2。该铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在480nm和580nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料的制备方法及其应用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料、其制备方法、铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料、其制备方法、铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜、其制备方法、使用该铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料的薄膜电致发光器件及其制备方法。一种铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料，其化学式为LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+，其中LaaGdbLucSiO5是基质，铕离子和铽离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，a为0~2，b为0~2，c为0~2，且a+b+c=2。一种铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料的制备方法，包括以下步骤：根据LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+各元素的化学计量比称取La2O3，Gd2O3，Lu2O3，SiO,Eu2O3和Tb4O7粉体并混合均匀，其中x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，a为0~2，b为0~2，c为0~2，且a+b+c=2；及将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结0.5小时~5小时即得到化学式为LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+的铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料。一种铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜，该铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜的材料的化学通式为LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+，其中LaaGdbLucSiO5是基质，铕离子和铽离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，a为0~2，b为0~2，c为0~2，且a+b+c=2。一种铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：根据LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+各元素的化学计量比称取La2O3，Gd2O3，Lu2O3，SiO,Eu2O3和Tb4O7粉体并混合均匀在900℃~1300℃下烧结0.5小时~5小时制成靶材，其中x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，a为0~2，b为0~2，c为0~2，且a+b+c=2；将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa；及调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃，接着进行制膜，得到化学式为LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+的铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜。在优选的实施例中，还包括步骤：将所述铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜于500℃~800℃下真空退火处理1h~3h。在优选的实施例中，所述真空腔体的真空度为5.0×10-4Pa，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强为2Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为25sccm，衬底温度为500℃。一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料，该铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料的化学式为LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+，其中LaaGdbLucSiO5是基质，铕离子和铽离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，a为0~2，b为0~2，c为0~2，且a+b+c=2。一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：提供具有阳极的衬底；在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料，该铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料的化学式为LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，a为0~2，b为0~2，c为0~2，且a+b+c=2；在所述发光层上形成阴极。在优选的实施例中，所述发光层的制备包括以下步骤：根据LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+各元素的化学计量比称取La2O3，Gd2O3，Lu2O3，SiO,Eu2O3和Tb4O7粉体并混合均匀在900℃~1300℃下烧结0.5小时~5小时制成靶材，其中，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，a为0~2，b为0~2，c为0~2，且a+b+c=2；将所述靶材以及所述衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa；调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃，接着进行制膜，在所述阳极上形成发光层。在优选的实施例中，所述发光层的制备还包括步骤：将所述发光层于500℃~800℃下真空退火处理1h~3h。上述铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料（LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+）制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在480nm和580nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。附图说明图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图；图2为实施例1制备的铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜的电致发光谱图；图3为实施例1制备的铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜的XRD图；图4是实施例1制备的薄膜电致发光器件的电压与电流密度和电压与亮度之间的关系曲线图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料、其制备方法、铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法进一步阐明。一实施方式的铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料，其化学式为LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+，其中LaaGdbLucSiO5是基质，铕离子和铽离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，a为0~2，b为0~2，c为0~2，且a+b+c=2。优选的，x为0.03，y为0.01，a为0.3，b为0.5，c为1.2。该铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料中LaaGdbLuc本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料，其特征在于：其化学式为
LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+，其中LaaGdbLucSiO5是基质，铕离子和铽离子是激
活元素，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，a为0~2，b为0~2，c为0~2，且a+b+c=2。
2.一种铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，包括以
下步骤：
根据LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+各元素的化学计量比称取La2O3，Gd2O3，
Lu2O3，SiO,Eu2O3和Tb4O7粉体并混合均匀，其中x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，
a为0~2，b为0~2，c为0~2，且a+b+c=2；及
将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结0.5小时~5小时即得到化学式为
LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+的铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料。
3.一种铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜，其特征在于，该铕铽共掺杂稀土
硅酸盐发光薄膜的材料的化学通式为LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+，其中
LaaGdbLucSiO5是基质，铕离子和铽离子是激活元素，x为0.01~0.05，y为
0.005~0.03，a为0~2，b为0~2，c为0~2，且a+b+c=2。
4.一种铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以
下步骤：
根据LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+各元素的化学计量比称取La2O3，Gd2O3，
Lu2O3，SiO,Eu2O3和Tb4O7粉体并混合均匀在900℃~1300℃下烧结0.5小时~5
小时制成靶材，其中，x为0.01~0.05，y为0.005~0.03，a为0~2，b为0~2，c
为0~2，且a+b+c=2；
将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的
真空度设置为1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa；及
调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，磁控溅射工作压
强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃，
接着进行制膜，得到化学式为LaaGdbLucSiO5∶xEu2+,yTb3+的铕铽共掺杂稀土硅
\t酸盐发光薄膜。
5.根据权利要求4所述的铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光薄膜的制备方法，其
特征在于，还包括步骤：将所述铕铽共掺杂...
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，钟铁涛，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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