用以增强阳极键合蒸气室中的压力均匀性的制造技术制造技术

本发明专利技术涉及用以增强阳极键合蒸气室中的压力均匀性的制造技术。一种制造一个或多个蒸气室的方法，所述方法包括：在具有第一直径的第一晶片中形成一个或多个蒸气室管芯；和在所述蒸气室管芯之上将第二晶片阳极键合至所述第一晶片的第一侧，所述第二晶片具有第二直径。将第三晶片定位在所述蒸气室管芯之上在所述第一晶片的与所述第二晶片相对的第二侧上面，所述第三晶片具有第三直径。将牺牲性晶片放置在所述第三晶片之上，所述牺牲性晶片具有大于所述第一直径、第二直径和第三直径的直径。在所述牺牲性晶片之上设置金属化键合板。在所述牺牲性晶片已就位的情况下向所述金属化键合板施加电压时，将所述第三晶片阳极键合至所述第一晶片的所述第二侧。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请是2010年9月10日提交的美国申请序列号12/879,394的部分继续申请，该申请要求2010年2月4日提交的美国临时专利申请序列号61/301,497的利益，这两个申请都通过引用并入本文。政府许可权益美国政府可对本专利技术享有如根据与美国空军的主政府合同号FA8650-07-C-1125的条款所提供的某些权利。
技术介绍
芯片级原子钟(CSAC)包括蒸气室(vapor cell)，所述蒸气室容纳比如铷(Rb)等碱金属的蒸气。蒸气室一般还容纳缓冲气体，比如氩-氮缓冲气体共混物等。用于制造蒸气室的标准技术涉及在具有限定出空腔的多个室结构的硅晶片的相对侧上面阳极键合(anodically bonding)两个玻璃晶片。碱金属蒸气和缓冲气体被俘获在两个玻璃晶片之间的室结构的空腔中。阳极键接合在晶片之间最初接触的位置处开始，并随着静电电位使表面接在一起而扩展。从一个区域向下一区域的键合前端(bond front)的该滞后可能导致在蒸气室中产生压力差。此外，如铷等低沸点温度材料的存在要求键合在尽可能低的温度进行，否则所生成的蒸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造一个或多个蒸气室的方法，所述方法包括：在具有内表面区域和周缘的第一晶片中形成一个或多个蒸气室管芯，所述第一晶片具有第一直径；在所述蒸气室管芯之上将第二晶片阳极键合至所述第一晶片的第一侧，所述第二晶片具有第二直径；将第三晶片定位在所述蒸气室管芯之上在所述第一晶片的与所述第二晶片相对的第二侧上面，所述第三晶片具有第三直径；将牺牲性晶片放置在所述第三晶片之上，所述牺牲性晶片具有大于所述第一直径、第二直径和第三直径的直径；将金属化键合板置于所述牺牲性晶片之上；和在所述牺牲性晶片已就位的情况下向所述金属化键合板施加电压时，将所述第三晶片阳极键合至所述第一晶片的所述第二侧。

【技术特征摘要】
2012.10.29 US 13/6628501. 一种制造一个或多个蒸气室的方法，所述方法包括：
在具有内表面区域和周缘的第一晶片中形成一个或多个蒸气室管芯，所述第一晶片具有第一直径；
在所述蒸气室管芯之上将第二晶片阳极键合至所述第一晶片的第一侧，所述第二晶片具有第二直径；
将第三晶片定位在所述蒸气室管芯之上在所述第一晶片的与所述第二晶片相对的第二侧上面，所述第三晶片具有第三直径；
将牺牲性晶片放置在所述第三晶片之上，所述牺牲性晶片具有大于所述第一直径、第二直径和第三直径的直径；
将金属化键合板置于所述牺牲性晶片之上；和
在所述牺牲性晶片已就位的情况下向所述金属化键合板施加电压时，将所述第三晶片阳极键合至所述第一晶片的所述第二侧。
2. 如权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述第一晶片中形成一个或多个互连的排气通路，所述排气通路提供至少一个路径供来自所述一个或多个蒸气室管芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：DW杨格纳，JA里德莱，ST鲁，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：美国;US