【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及带隔片的切割/芯片接合薄膜。
技术介绍
以往,在半导体装置的制造工序中,使用在切割薄膜上层叠有热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜(例如,参考专利文献1)。在使用该切割/芯片接合薄膜的半导体装置的制造工序中,首先将半导体晶片贴合到切割/芯片接合薄膜上将其固定,并在该状态下进行切割。由此,半导体晶片被小片化为规定的尺寸,成为半导体芯片。然后,为了将固定在切割/芯片接合薄膜上的半导体芯片从切割薄膜上剥离,进行半导体芯片的拾取。然后,将与芯片接合薄膜一起被拾取的半导体芯片通过芯片接合薄膜固定到衬底等被粘物上。对于上述的切割/芯片接合薄膜而言,根据半导体晶片的尺寸而各自冲裁为圆形等的切割薄膜和芯片接合薄膜层叠而成。切割/芯片接合薄膜以芯片接合薄膜为贴合侧以规定的间隔配置到长尺寸的隔片上。与半导体晶片贴合时,使用晶片安装装置等将切割/芯片接合薄膜从隔片上剥离,然后粘贴到半导体晶片上。现有技术文献专利文献专利文献1: ...
【技术保护点】
一种带隔片的切割/芯片接合薄膜,其通过将隔片、在俯视时的外周部具有向外侧凸出的伸出片的芯片接合薄膜以及切割薄膜以该顺序层叠而得到。
【技术特征摘要】
2012.10.31 JP 2012-2402111.一种带隔片的切割/芯片接合薄膜,其通过将隔片、在俯视时的
外周部具有向外侧凸出的伸出片的芯片接合薄膜以及切割薄膜以该顺
序层叠而得到。
2.如权利要求1所述的带隔片的切割/芯片接合薄膜,其中,所述
伸出片具有锥形的前端部。
3.如权利要求2所述的带隔片的切割/芯片接合薄膜,其中,所述
伸出片具有V形的前端部。
4.如权利要求3所述的带隔片的切割/芯片接合薄膜,其中,所述
V形的前端部的内角为30°以上且90°以下。
5.如权利要求1所述的带隔片的切割/芯片接合薄膜,其中,与所
述伸出片的伸出方向垂直的方向上所述伸出片的根部的最小直径距离
小于所述伸出片的根部与前端部之间的中间部的最大直径距离。
6.如权利要求5所述的带隔片的切割/芯片接合薄膜,其中,所述
根部的最小直径距离为1mm以下。
7.如权利要求1所述的带隔片的切割/芯片接合薄膜,其中,所述
隔片为长尺寸隔片。
8.如权利要求7...
【专利技术属性】
技术研发人员:菅生悠树,村田修平,大西谦司,木村雄大,柳雄一朗,井上刚一,
申请(专利权)人:日东电工株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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