碳化硅半导体器件及其制造方法技术

当在平面图中观察时，终端区（TM）围绕元件区（CL）。热蚀刻碳化硅衬底（SB）的第一侧以在终端区（TM）处的碳化硅衬底（SB）中形成侧壁（ST）和底表面（BT）。侧壁（ST）具有{0-33-8}和{0-11-4}中的一种面取向。底表面（BT）具有{000-1}的面取向。在侧壁（ST）和底表面（BT）上，形成绝缘膜（8T）。第一电极（12）形成在元件区（CL）处的碳化硅衬底（SB）的第一侧上。第二电极（14）形成在碳化硅衬底（SB）的第二侧上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】当在平面图中观察时，终端区（TM）围绕元件区（CL）。热蚀刻碳化硅衬底（SB）的第一侧以在终端区（TM）处的碳化硅衬底（SB）中形成侧壁（ST）和底表面（BT）。侧壁（ST）具有{0-33-8}和{0-11-4}中的一种面取向。底表面（BT）具有{000-1}的面取向。在侧壁（ST）和底表面（BT）上，形成绝缘膜（8T）。第一电极（12）形成在元件区（CL）处的碳化硅衬底（SB）的第一侧上。第二电极（14）形成在碳化硅衬底（SB）的第二侧上。【专利说明】碳化娃半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及一种碳化硅半导体器件以及制造碳化硅半导体器件的方法，更特别地，涉及一种在平面图中观察时具有设置有半导体元件的元件区以及围绕元件区的终端区的碳化硅半导体器件，以及制造这种碳化硅半导体器件的方法。
技术介绍
根据日本专利特开N0.2010-147222 (专利文献1)，SiC半导体器件具有设置有MOSFET的单元区以及围绕单元区的外周边区。在外周边区中，形成由凹槽构成的台面(mesa)结构部分。在单元区和外周边区之间的边界部分处，形成P型resurf层(降低表面电场层)以围绕本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：日吉透，增田健良，和田圭司，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：