半导体模块，电路基板制造技术

提高供在表背两面具备电极的半导体元件安装的电路基板以及半导体模块的制造效率。半导体模块具备形成有通路以及布线图案的布线基板、配置于布线基板的第1面侧的半导体元件、以及由配置于布线基板侧的第1接合层和配置于半导体元件侧的第2接合层构成的接合部。第1接合层具备以无机材料为主要成分的第1绝缘层、形成于第1绝缘层的与通路对应的部位的贯通孔、以及配置于贯通孔内且用于使布线基板与形成于半导体元件的电极部导通的导电接合部，该第1接合层具有开始与布线基板接合的第1接合开始温度，第2接合层具备以无机材料为主要成分的第2绝缘层、以及与贯通孔连通且用于配置半导体元件的开口部，该第2接合层具有第2接合开始温度，该第2接合开始温度是第2接合层开始与半导体元件接合的温度，且不同于第1接合开始温度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】提高供在表背两面具备电极的半导体元件安装的电路基板以及半导体模块的制造效率。半导体模块具备形成有通路以及布线图案的布线基板、配置于布线基板的第1面侧的半导体元件、以及由配置于布线基板侧的第1接合层和配置于半导体元件侧的第2接合层构成的接合部。第1接合层具备以无机材料为主要成分的第1绝缘层、形成于第1绝缘层的与通路对应的部位的贯通孔、以及配置于贯通孔内且用于使布线基板与形成于半导体元件的电极部导通的导电接合部，该第1接合层具有开始与布线基板接合的第1接合开始温度，第2接合层具备以无机材料为主要成分的第2绝缘层、以及与贯通孔连通且用于配置半导体元件的开口部，该第2接合层具有第2接合开始温度，该第2接合开始温度是第2接合层开始与半导体元件接合的温度，且不同于第1接合开始温度。【专利说明】半导体模块，电路基板
本专利技术涉及包含半导体元件、布线基板和散热器在内的半导体模块。
技术介绍
一直以来，使用包括在表背两面具备电极的半导体元件、接合于半导体元件的各个面的第1、第2布线基板以及将第1、第2布线基板与半导体元件之间接合的接合层的多层构造的半导体模块。这样的半导体模块例如使用接合层进行制造，该接合层通过形成于第I布线基板侧的第I接合层、以及形成于第2布线基板侧且具有形成为能够容纳半导体元件的开口部的第2接合层层叠而成。具体而言，通过第I工序和第2工序制造半导体模块，第I工序为，将半导体元件安装于第2接合层的开口部，检查配置于第I接合层上的第I布线基板与半导体元件之间的接合状态，第2工序为，在检查后，在第2接合层的、与层叠有第I接合层的面相反一侧的面上配置第2布线基板，利用第1、第2布线基板夹住半导体元件，并对布线基板、半导体元件以及接合层一体地进行加热压接，从而将半导体元件与布线基板密封、接合。先行技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007 - 287833号公报然而，在上述技术中，在第I接合层与第2接合层由相同材料形成的情况下，在第I工序与第2工序的各工序的加热处理中，由于第I接合层、第2接合层在大致相同的时刻开始软化，因此在各工序中会产生各种问题。例如，产生如下问题:在第I工序中，第2接合层侵蚀在半导体元件的安装中所使用的加压夹具而导致制造工序复杂化，在第I工序中已经与第I布线基板接合的第I接合层再次软化而导致第I接合层过度变形，向第2接合层施加的加压力减少等。另外，在现有技术中，为了使半导体元件顺利地嵌入开口部内，需要将开口部形成为比半导体元件的外形大。即，在层叠方向的截面中，开口部的截面积比半导体元件的截面积大。因此，在安装半导体元件之后，在半导体元件的侧面与开口部的侧壁之间产生空隙，半导体元件与布线基板之间的绝缘性能可能降低。此外，一直以来期望半导体模块的小型化、制造工序变容易、简单。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题的至少一部分而完成的，能够通过以下方式实现。(I)本专利技术的一个方式提供半导体模块。该半导体模块具备:布线基板，其形成有通路以及布线图案；半导体元件，其配置于上述布线基板的第I面侧；以及接合部，其配置于上述布线基板的上述第I面上，并使上述半导体元件与上述布线基板接合，该接合部由配置于上述布线基板侧的第I接合层和配置于上述半导体元件侧的第2接合层构成；上述第I接合层具备:第I绝缘层，其以无机材料为主要成分；至少一个贯通孔，其形成于上述第I绝缘层的、与上述通路对应的部位；以及导电接合部，其配置于上述贯通孔内，用于使上述布线基板与形成于上述半导体元件的电极部导通；该第I接合层具有开始与上述布线基板接合的温度亦即第I接合开始温度，上述第2接合层具备:第2绝缘层，其以无机材料为主要成分；以及开口部，其与上述贯通孔连通且用于配置上述半导体元件；该第2接合层具有第2接合开始温度，该第2接合开始温度是该第2接合层开始与上述半导体元件接合的温度，且不同于上述第I接合开始温度。根据该方式的半导体模块，用于使布线基板与半导体元件接合的接合层由具有第I接合开始温度的第I接合层和具有不同于第I接合开始温度的、第2接合开始温度的第2接合层形成。因此，在将布线基板与半导体元件进行接合过程中的加热、压接时，第I接合层和第2接合层各自在不同时刻开始与布线基板、半导体元件、其他电子部件接合。因此，能够抑制在第I接合层、第2接合层在大致相同的时刻开始接合的情况下产生的各种问题，能够提高使用电路基板制造半导体模块的情况下的制造效率。(2)在上述方式的半导体模块中，也可以是，上述第I接合开始温度比上述第2接合开始温度低。根据该方式的半导体模块，第I接合开始温度比第2接合开始温度低。因此，在以第I接合开始温度进行的半导体安装时的加热、加压处理中，抑制了第2接合层的变形。因此，能够在半导体安装时抑制第2接合层侵蚀在半导体安装中所使用的加压夹具，因此能够抑制制造工序的复杂化，能够提高制造效率。(3)在上述方式的半导体模块中，也可以是，上述第I接合开始温度比上述第2接合开始温度高。根据该方式的半导体模块，第I接合开始温度比上述第2接合开始温度高。因此，能够抑制在以第2接合开始温度使第2接合层与其他零件接合时，已经与半导体元件、布线基板接合的第I接合层因再次加热、加压而过度变形、向第2接合层施加的压力减少的情况。因此，能够提闻制造效率。(4)本专利技术的一个方式提供电路基板。该电路基板具备:布线基板，其形成有通路以及布线图案；以及接合部，其配置于上述布线基板的上述第I面上，且使半导体元件与上述布线基板接合，该接合部由配置于上述布线基板侧的第I接合层和配置于上述半导体元件侧的第2接合层构成；上述第I接合层具备:第I绝缘层，其以无机材料为主要成分；至少一个贯通孔，其形成于上述第I绝缘层的、与上述通路对应的部位；以及导电接合部，其配置于上述贯通孔内，用于使上述布线基板与形成于上述半导体元件的电极部导通，该第I接合层具有开始与上述布线基板接合的温度亦即第I接合开始温度；上述第2接合层具备:第2绝缘层，其以无机材料为主要成分；以及开口部，其与上述贯通孔连通且用于配置上述半导体元件；该第2接合层具有第2接合开始温度，该第2接合开始温度是该第2接合层开始与上述半导体元件接合的温度，且不同于上述第I接合开始温度。根据该方式的电路基板，用于使布线基板与半导体元件接合的接合层由具有第I接合开始温度的第I接合层和具有不同于第I接合开始温度的第2接合开始温度的第2接合层形成。因此，在将布线基板与半导体元件进行结合的过程中的加热、压接时，第I接合层和第2接合层各自在不同时刻开始与布线基板、半导体元件、其他电子部件接合。因此，能够抑制在第I接合层、第2接合层在大致相同的时刻开始接合的情况下产生的各种问题，能够提高使用电路基板制造半导体模块的情况下的制造效率。(5)在上述方式的电路基板中，也可以是，上述第I接合开始温度比上述第2接合开始温度低。根据该方式的电路基板，第I接合开始温度比第2接合开始温度低。因此，在以第I接合开始温度进行的半导体安装时的加热、加压处理中，抑制了第2接合层的变形。因此，能够抑制半导体安装时第2接合层侵蚀在半导体安装中所使用的加压夹具，因此能够抑制制造工序的复杂化，能够提高制造效率。(6)在上述方式的电路基板中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：高山泰史，
申请(专利权)人：日本特殊陶业株式会社，
类型：
国别省市：