一种山药的种植方法技术

本发明专利技术公开了一种山药的种植方法，属于农业技术领域。本发明专利技术的山药的种植方法，通过以下步骤实现：步骤1，选地整畦；步骤2，开沟整地；步骤3，种块处理；步骤4，种植；步骤5，施足基肥；步骤6，田间管理。本发明专利技术的山药的种植方法，操作简便，种植成本低，能够产出高产量的山药，且种植出的山药品质高。实用性强，经济价值高，值得推广应用。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，属于农业
。本专利技术的山药的种植方法，通过以下步骤实现：步骤1，选地整畦；步骤2，开沟整地；步骤3，种块处理；步骤4，种植；步骤5，施足基肥；步骤6，田间管理。本专利技术的山药的种植方法，操作简便，种植成本低，能够产出高产量的山药，且种植出的山药品质高。实用性强，经济价值高，值得推广应用。【专利说明】
本专利技术涉及农业
，尤其是。
技术介绍
山药又名薯蓣和长芋，属薯蓣科，以其肥大的块根或圆柱状根供食用。块根中含有蛋白质1.5%，碳水化合物14.4%，并含有多种维生素和胆碱等，营养价值较高。山药在栽培过程中，因受不良环境条件、栽培措施、管理方法等因素的影响，造成山药在生长过程中内部组织结构发生改变，从而产生各种奇形怪状，如山药块茎上端分权、下端分权、蛇形、扁头形、脚掌形、葫芦形、麻脸形等，这些统称为畸形山药。由于受到畸形山药的影响，目前种植栽培的山药，品质不高，且产量低下，成本昂贵。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的在于:针对上述存在的问题，提供一种操作简便，种植成本低的山药的种植方法，通过该山药的种植方法，能够产出高产量的山药，且种植出的山药品质闻。本专利技术采用的技术方案如下: 本专利技术的山药的种植方法，通过以下步骤实现: 步骤1，选地整畦:要求畦高60厘米以上，畦面80厘米，其中土壤PH值为6~8 ; 步骤2，开沟整地:南北向挖深沟，沟间行距为lm，沟宽28~30cm，深140cm，开挖时将上下层土分别堆放在沟的两侧，且沟底20cm的沙`土就地挖翻铲碎，经晾晒3至5天后，先将底层沙土耧平踩实，再分别填入下层土和上层土，每填20cm耧平踩实I次，并清除土中杂物；先隔行开挖，待填平半条沟后，再开挖剩下的半条沟； 步骤3，种块处理，在种植前20~25天选取无病块根头作种，将根头下端断面蘸消石灰粉，然后晒3至5天；若要增加繁殖系数，选长lm，横径2.5~4.5cm的块根，切分成15~20cm长的若干小段，并标记上、下端，然后将每个断面蘸石灰，晒3至5天，直至到段头有裂缝为止。步骤4，种植:种植前，在种植地周围挖深围沟，深达Im左右，宽0.6~0.8m，并与外沟相通；并在四月，当气温回升到12°C以上，地温稳定至10°C以上时进行种植，在种植行中央拉绳，并按行距Im沿绳开深5.6cm的沟，并在沟中按株距20cm逐一打直径为10~12cm洞，该洞深入松土层底部，将根头的上端顺沟向横放在洞口上，排放好一沟后，覆土起垄，垄高IOcm ；步骤5，施足基肥；下种后到出苗前，将种植沟两侧行间土壤深翻20~30cm，施入腐熟厩肥或粪肥2000~4000kg/667m2，外加尿素20~25kg，过磷酸钙15kg，硫酸钾25~35kg,并与翻土充分混合； 步骤6，田间管理:①支架引蔓:山药出苗，即搭支架引蔓向上生长，插搭高1.5m的人字架，最佳为高2~2.5m的人字架，②中耕填土:生长前期每隔半月进行I次中耕除草，直到茎蔓已上半架为止，要将架外的行间土壤挖埋到架内行间，使架内形成高畦，架外行间形成深20cm、宽30cm的畦沟，③追肥:在茎蔓已上半架时追施I次，施尿素10~15kg/667m2灌溉排水:在第1次追肥前后，浇水I至2次，至土壤表层润湿，。在茎蔓满架时，如有黄瘦脱力现象，可再追施I次。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是: 1、本专利技术的山药的种植方法,操作简便,种植成本低，能够产出高产量的山药,且种植出的山药品质高。2、本专利技术的山药的种植方法，实用性强，经济价值高，值得推广应用。【具体实施方式】本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。本说明书(包括任何附加权利要求、摘要)中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。本专利技术的山药的种植方法，通过以下步骤实现: 步骤1，选地整畦:要求畦高60厘米以上，畦面80厘米，其中土壤PH值为6~8 ; 步骤2，开沟整地:南北向挖深沟，沟间行距为lm，沟宽28~30cm，深140cm，开挖时将上下层土分别堆放在 沟的两侧，且沟底20cm的沙土就地挖翻铲碎，经晾晒3至5天后，先将底层沙土耧平踩实，再分别填入下层土和上层土，每填20cm耧平踩实I次，并清除土中杂物；先隔行开挖，待填平半条沟后，再开挖剩下的半条沟； 步骤3，种块处理，在种植前20~25天选取无病块根头作种，将根头下端断面蘸消石灰粉，然后晒3至5天；若要增加繁殖系数，选长lm，横径2.5~4.5cm的块根，切分成15~20cm长的若干小段，并标记上、下端，然后将每个断面蘸石灰，晒3至5天，直至到段头有裂缝为止。步骤4，种植:种植前，在种植地周围挖深围沟，深达Im左右，宽0.6~0.8m，并与外沟相通；并在四月，当气温回升到12°C以上，地温稳定至10°C以上时进行种植，在种植行中央拉绳，并按行距Im沿绳开深5.6cm的沟，并在沟中按株距20cm逐一打直径为10~12cm洞，该洞深入松土层底部，将根头的上端顺沟向横放在洞口上，排放好一沟后，覆土起垄，垄高IOcm ；步骤5，施足基肥；下种后到出苗前，将种植沟两侧行间土壤深翻20~30cm，施入腐熟厩肥或粪肥2000~4000kg/667m2，外加尿素20~25kg，过磷酸钙15kg，硫酸钾25~35kg,并与翻土充分混合； 步骤6，田间管理:①支架引蔓:山药出苗，即搭支架引蔓向上生长，插搭高1.5m的人字架，最佳为高2~2.5m的人字架，②中耕填土:生长前期每隔半月进行I次中耕除草，直到茎蔓已上半架为止，要将架外的行间土壤挖埋到架内行间，使架内形成高畦，架外行间形成深20cm、宽30cm的畦沟，③追肥:在茎蔓已上半架时追施I次，施尿素10~15kg/667m2灌溉排水:在第1次追肥前后，浇水I至2次，至土壤表层润湿，。在茎蔓满架时，如有黄瘦脱力现象，可再追施I次。本专利技术并不局限于前述的【具体实施方式】。本专利技术扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。【权利要求】1.，其特征在于:它通过以下步骤实现: 步骤1，选地整畦:要求畦高60厘米以上，畦面80厘米，其中土壤PH值为6~8 ; 步骤2，开沟整地:南北向挖深沟，沟间行距为lm，沟宽28~30cm，深140cm，开挖时将上下层土分别堆放在沟的两侧，且沟底20cm的沙土就地挖翻铲碎，经晾晒3至5天后，先将底层沙土耧平踩实，再分别填入下层土和上层土，每填20cm耧平踩实I次，并清除土中杂物； 步骤3，种块处理，在种植前20~25天选取无病块根头作种，将根头下端断面蘸消石灰粉，然后晒3至5天； 步骤4，种植:种植前，在种植地周围挖深围沟，深达Im左右，宽0.6~0.8m,并与外沟相通；并在四月，当气温回升到12°C以上，地温稳定至10°C以上时进行种植，在种植行中央拉绳，并按行距Im沿绳开深5.6cm的沟，并在沟中按株距20cm逐一打直径为10~12cm洞，该洞深入松土层底部，将根头的上端顺沟向横放在洞口上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴燕，
申请(专利权)人：吴燕，
类型：发明
国别省市：