本发明课题在于抑制电解装置的电解效率的降低。电解装置具备：电解单元(具有阴极流路、阳极流路、阴极、阳极、和设置于阴极流路与阳极流路之间的隔膜)，阳极供给流路，阳极排出流路，阴极供给流路，阴极排出流路(供阴极流体流动)，第1、第2、第3压...

提供能够高效地进行数据重写的磁盘装置以及刷新处理方法。磁盘装置(1)具备盘(DK)、头(HD)以及控制部。上述控制部具备能够对作为第1权重系数的k1进行调整的调整部(64)、对第1写入次数进行上述k1次的计数的计数器(62)、判断上述第...

本发明的实施方式涉及引线框及半导体装置，能够抑制固装材料从半导体芯片的搭载区域流出。本实施方式所涉及的引线框具有：主体部，具有主面，该主面包含供半导体芯片搭载的搭载区域；引线部，与所述主体部连接；槽部，以将所述搭载区域包围的方式设置于所...

半导体装置具有：半导体层，具有第1面和第2面；第1导电型的第1半导体区域，设在半导体层中，与第2面接触，包括具有第1最小宽度的第1部分、具有比第1最小宽度小的第2最小宽度的第2部分、以及将第1部分与第2部分连接且具有比第2最小宽度小的第...

实施方式涉及氮化物半导体装置。实施方式的氮化物半导体装置具备：具有异质结的第一半导体层；设于所述第一半导体层上且具有另一异质结的第二半导体层；设于所述第二半导体层上的漏极电极；设于所述第一半导体层上的源极电极；栅极电极，设于所述第一半导...

根据实施方式，旋转架台(5)的冷却材料供给装置(80)具备：旋转架台(5)，支承照射粒子线射束(7)的照射喷嘴(13)、以及向照射喷嘴(13)输送粒子线射束(7)的输送部(14)，以朝向水平方向的水平轴(9)为中心进行旋转；以及线缆(2...

实施方式提供通信装置及通信方法，能够不使信号线的传送信号停止地进行信号线的故障诊断。本实施方式的通信装置具备发送部和接收部。发送部能够经由信号线发送至少包含二值中的预先设定的一方的信号值且遵循第一规则的传送信号。接收部在经由信号线接收到...

提供能够缩小尺寸的隔离器。隔离器具备：第一半导体芯片(10)；第二半导体芯片(20)；第一布线板(30)，在朝向第一方向的第一面上设置有第一半导体芯片；第二布线板(40)，在朝向第一方向的第二面上设置有第二半导体芯片，在第二方向上与第一...

本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式的半导体装置具备：包含第一导电型杂质的第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第一半导体层，设置在第一半导体层之上，第一导电型杂质的浓度比第一半导体层低；以及第三半导体层，设置在...

提供能够在由两级致动器进行多速率控制的盘装置中提高头的定位精度的盘装置的制造方法及程序。在实施方式中，在附加MA附加滤波器前的状态下，对于VCM的操作量和MA的操作量，分别以1/N周期施加测试信号而测定头位置误差谱和频率特性，基于频率特...

本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具备：绝缘基材，具有第一面、以及作为与所述第一面为相反侧的背面的第二面；多个金属焊盘，设于所述绝缘基材的所述第一面上，被相互分离地配置；半导体元件，设于所述多个金属焊盘中...

本发明的铌钛基氧化物包含铌钛基氧化物颗粒，其中，采用X射线光电子能谱仪测量的所述铌钛基氧化物颗粒的Si2p峰面积和Nb3d峰面积满足比值A：0.40≤A≤1.0，其中比值A为Si2p峰面积/Nb3d峰面积。

本公开涉及电子电路和电力变换器。本实施方式所涉及的电子电路具备：时钟生成电路，生成第1时钟信号；第1变换电路，基于所述第1时钟信号将输入信号变换为具有与所述第1时钟信号相应的频率的第1信号；第1电磁场耦合部，通过电磁场耦合传送所述第1信...

本发明的实施方式涉及电子电路、电力变换装置以及数据生成方法。提供决定兼顾开关元件导通时的电力损失的降低和噪声的抑制这样的驱动电流的波形数据的电子电路。电子电路具备处理电路。处理电路生成向开关元件供给的驱动电流的波形数据，将波形数据提供给...

本发明的实施方式涉及铌钛氧化物、活性物质、电极、二次电池、电池包及车辆。提供一种能够实现高容量、且速率特性优异的二次电池的铌钛氧化物。根据实施方式，提供一种铌钛氧化物。铌钛氧化物在基于日本工业标准JISZ8722：2009测定的L<...

提供能够将多个基准图案以互相不交叉的合适的间隔向磁盘写入的可靠性优异的磁盘装置及其基准图案写入方法。检测螺旋图案的写入位置的偏离，在使得该偏离消失的方向上逐次修正规定速度，基于该修正规定速度来写入各螺旋图案。

半导体装置包括第1电极、第2电极、第1导电部件、半导体部件及绝缘部件。第1导电部件在第1电极的第1面与第1导电区域间。半导体部件在第1面与第2电极间。半导体部件包括第1至第五半导体区域。第1半导体区域包括第1至第3部分区域。第1部分区域...

本发明的实施方式涉及半导体装置，提供能够减小导通电阻或者提高耐压的半导体装置。半导体装置具备：第1电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第3半导体区域、栅极电极、第2电极和第3电极。栅极电极在第2方向上隔着栅极绝缘层而与第2半导体区域相...

本发明的实施方式涉及一种关键字检测装置、关键字检测方法以及存储介质。关键字检测装置(10)具备词组检测部(20B)、相似度计算部(20C)以及关键字输出部(20D)。词组检测部(20B)从作为以规定的输入方式表示的输入信息的识别结果的文...

提供能够得到稳定的特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第一～第四电极、半导体构件、第一导电构件、第二导电构件以及绝缘构件。所述半导体构件包括第一半导体区域、第二半导体区域以及第三半导体区域。所述第一半导体区域包括第...