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UDC爱尔兰有限责任公司专利技术
UDC爱尔兰有限责任公司共有30项专利
金属络合物和其在有机发光二极管中的用途制造技术
本申请涉及金属络合物和其在有机发光二极管中的用途。本发明涉及环金属化Ir络合物,其包含三个在非环金属化芳基环的2位具有取代基的N,N二芳基取代的碳烯配位体;涉及有机电子装置、优选地有机发光二极管OLED,其包含至少一种如上所述的环金属化...
用于电子应用的4H-咪唑并[1,2-a]咪唑制造技术
本申请涉及用于电子应用的4H
供电子应用的氮杂二苯并呋喃和包含氮杂二苯并呋喃的电子器件制造技术
本发明涉及供电子应用的氮杂二苯并呋喃和包含氮杂二苯并呋喃的电子器件。本发明涉及式(I)的化合物,其特征在于其经苯并咪唑并[1,2
具有高效率的荧光有机发光元件制造技术
本申请涉及具有高效率的荧光有机发光元件。本发明涉及一种发射延迟荧光的有机发光元件,其在发光层中包含特定经取代的1,2,4
具高效率的荧光有机发光元件制造技术
本申请涉及具高效率的荧光有机发光元件。具体地,本发明涉及包含式(I)的热活化延迟荧光TADF发射体和/或主体的有机发光元件,所述TADF发射体和/或主体具有小到足以使三重态激子从T
用于电子器件中的发光二氮杂-、单氮杂-和苯并-咪唑金属卡宾络合物及其制备方法技术
本申请涉及用于电子器件中的发光二氮杂‑、单氮杂‑和苯并‑咪唑金属卡宾络合物及其制备方法。本发明涉及一种包含1、2或3个在R
具有极短衰减时间的高效OLED装置制造方法及图纸
本发明涉及具有极短衰减时间的高效OLED装置。本发明涉及包含以下的有机发光装置:(a)阳极、(i)阴极和(e)所述阳极与阴极之间的发射层,其包含40.01重量%至99.95重量%的具有小于0.2eV的单态能(E
具有碳烯配体的过渡金属配合物及其在OLED中的用途制造技术
本发明涉及具有碳烯配体的过渡金属配合物及其在OLED中的用途。具体地,本发明涉及具有通式(I)的具有一个双齿碳烯配体的钯和铂配合物。OLED(有机发光二极管)包含所述配合物。照明元件、固定视觉显示单元和移动视觉显示单元包含所述OLED。...
用于有机发光二级管中的单取代的二氮杂苯并咪唑卡宾金属络合物制造技术
本发明涉及用于有机发光二级管中的单取代的二氮杂苯并咪唑卡宾金属络合物,并具体涉及一种有机电子器件,优选有机发光二极管(OLED),其包含至少一种含有1、2或3个特定二齿二氮杂苯并咪唑卡宾配体的金属‑卡宾络合物;涉及包含所述金属‑卡宾络合...
发光的二氮杂苯并咪唑碳烯金属配合物制造技术
本发明涉及发光的二氮杂苯并咪唑碳烯金属配合物。本发明涉及通式(I)的金属‑碳烯配合物,其中变量M为Ir或Pt,其特征在于变量R为式(a)的基团。所述配合物用于有机电子器件,尤其是OLED(有机发光二极管)、照明器件、静态视觉显示单元中和...
用于电子应用的4H-咪唑并[1,2-a]咪唑制造技术
本发明涉及用于电子应用的4H‑咪唑并[1,2‑a]咪唑。具体讲,本发明涉及式(I)化合物,一种其的生产方法及其在电子器件,尤其是场致发光器件中的用途。当用作场致发光器件中磷光发射体的电子传输和/或主体材料时,式I化合物可以提供具有改进效...
用于电子应用的4H-咪唑并[1,2-a]咪唑制造技术
本发明涉及用于电子应用的4H‑咪唑并[1,2‑a]咪唑。具体讲,本发明涉及式(I)化合物,一种其的生产方法及其在电子器件,尤其是场致发光器件中的用途。当用作场致发光器件中磷光发射体的电子传输和/或主体材料时,式I化合物可以提供具有改进效...
用于电子应用的苯并咪唑并[1,2-A]苯并咪唑衍生物制造技术
本申请涉及用于电子应用的苯并咪唑并[1,2‑A]苯并咪唑衍生物。本发明涉及式(I)化合物,其生产方法及其在电子器件,尤其是场致发光器件中的用途。当在场致发光器件中用作磷光发射体的主体材料时,式(I)化合物可以提供具有改进效率、稳定性、可...
含有碳烯配体的双核金属配合物及其在OLED中的用途制造技术
本发明涉及含有碳烯配体的双核金属配合物及其在OLED中的用途。具体讲,本发明涉及含有选自铂和钯的中心原子的双核金属‑碳烯配合物,其中两个金属原子均与相同芳族基团环金属化连接,含有此类配合物的OLED(有机发光二极管),含有该OLED的选...
具有二苯并[F,H]喹喔啉的金属配合物制造技术
本发明涉及具有二苯并[F,H]喹喔啉的金属配合物。本发明涉及下式的电致发光金属配合物,包含这些金属配合物的电子器件及其在电子器件,尤其是有机发光二极管(OLED)中的用途。式(I)的金属配合物显现出高发射效率、优异可汽化性、热稳定性、加...
具有极短衰减时间的高效OLED装置制造方法及图纸
本发明涉及包含以下的有机发光装置:(a)阳极、(i)阴极和(e)所述阳极与阴极之间的发射层,其包含40.01重量%至99.95重量%的具有小于0.2eV的单态能(ES1(X))与三态能(ET1(X))的差值[Δ(ES1(X))‑(ET1...
包含含有至少一种金属有机化合物和至少一种金属氧化物的层的有机电子器件制造技术
本发明涉及一种有机电子器件,所述器件包含第一电极、第二电极和置于第一电极与第二电极之间的第一有机层,其中第一有机层包含至少一种金属有机化合物和至少一种金属氧化物。本发明进一步涉及一种包含本发明有机电子器件的设备。
供电子应用的氮杂二苯并呋喃和包含氮杂二苯并呋喃的电子器件制造技术
本发明涉及供电子应用的氮杂二苯并呋喃和包含氮杂二苯并呋喃的电子器件。本发明涉及式(I)的化合物,其特征在于其经苯并咪唑并[1,2‑a]苯并咪唑‑5‑基和/或苯并咪唑并[1,2‑a]苯并咪唑‑2,5‑叉基取代,且在于取代基B
包含氮杂苯并咪唑碳烯配体的金属配合物及其在OLED中的用途制造技术
本发明涉及包含氮杂苯并咪唑碳烯配体的金属配合物及其在OLED中的用途。本发明涉及包含选自铱和铂的中心原子和特殊氮杂苯并咪唑并碳烯配体的金属‑碳烯配合物,涉及包含该类配合物的OLED(有机发光二极管,OLED),涉及选自包含该OLED的照...
用于电子应用的苯并咪唑并[1,2‑A]苯并咪唑衍生物制造技术
本申请涉及用于电子应用的苯并咪唑并[1,2‑A]苯并咪唑衍生物。本发明涉及式(I)化合物,其生产方法及其在电子器件,尤其是场致发光器件中的用途。当在场致发光器件中用作磷光发射体的主体材料时,式(I)化合物可以提供具有改进效率、稳定性、可...
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