一种半导体器件及其制造方法，此器件带有一形成在半导体晶片上的扩散势垒层，其上还用硅烷等离子工艺或反应溅射方法形成了一甲硅烷基化层。在甲硅烷基化层上形成金属层时，扩散势垒层与金属间的沾润度增强并形成大的晶粒，从而提高了金属层对接触孔或通孔...

采用选择性ＣＶＤ钨形成通路接触塞的方法中，通过在高温下，进行Ｈ↓［２］还原工艺，在通路接触孔的下部淀积上第一层钨；随后，再在低温下，进行ＳｉＨ↓［４］还原工艺，在第一层钨上淀积上第二层钨，经过第一和第二层钨来填充通路接触孔，于是形成了接...

一种形成半导体器件微细图形的方法，使用低加速电压的电子束（１－５ＫｅＶ）和甲硅烷基化工艺方法。在衬底上涂敷抗蚀剂以形成抗蚀剂膜，用电子束将抗蚀剂上表面部分作选择性曝光，然后使曝了光的抗蚀剂膜进行选择性甲硅烷基化，使抗蚀剂膜上部形成甲硅烷...

一种在编程时不必给未选位线加上高的编程禁止电压就能缩小芯片面积和功耗、防止过编程的非易失性半导体存贮器。在块擦除操作中，令被选存贮块的字线处于参考电压，而令未选字线处于浮动态，给衬底加上擦除电压，则处于浮动态的字线就会自动防止通过电容耦...

通过多次光刻工艺，为形成光致抗蚀剂图形，各自的光致抗蚀剂溶液选用正性和／或者负性的溶液，采用限定凸块形成区域的适当图形掩模，通过曝光形成光致抗蚀剂图形，由此，在半导体芯片的金属阻挡层上形成凸形。由于制造的凸块上部与其下部相等或者小于下部...

一种半导体存储器，包括一由双极晶体管构成的电流驱动晶体管，其连接到相应的位线以增加位线电流。该电流驱动晶体管的收集极由一个接地的阱构成，基极由二个相邻选行晶体管的公共漏区构成。其发射极是一与第一层间隔离层及第二层间隔离层分开排列的多晶硅...

一种制造硅－绝缘体结构半导体器件的方法，包括下列步骤：在包括下部硅衬底、氧化物埋层和上部硅层的晶片上形成基底氧化物层，在氧化物埋层的预定部分形成氮氧化合物区；形成与氮氧化合物区相交的有源硅层，通过湿法蚀刻暴露出氮氧化合物区以形成空腔；在...

一种半导体存储装置的诸多输入缓冲器中的一种写入信号输入缓冲器，供接收芯片外部提供的写入启动信号。本发明提供的写入信号输入缓冲器包括：一个输入级，供接收芯片外部提供的写入启动信号；一个逻辑装置，用以根据输入级的输出信号产生作为相应信号的写...

一种具有地址转换检测器的半导体集成电路。该地址转换电路具有连接于电源端、用于检测电源端电压电平的电源检测电路，用于接收地址信号并在地址信号改变时产生窄脉冲的窄脉冲发生电路，以及用于组合电源检测电路和窄脉冲发生电路的输出变化时产生给定脉冲...

通过一般的半导体封装技术获得已知为好的管芯阵列，通过对从晶片分离的若干ＩＣ芯片同时进行ＡＣ和老化测试，使能批量生产已知为好的管芯，其中ＩＣ芯片贴在涂有粘结剂的引线框架的管芯焊盘上并连线连接，引线框架与连线连接引线电气分离，合成的引线框架...

一种制造高集成度半导件存储器件的方法。在半导件衬底上形成第一导电层，于其上形成一第一图形。在已形成有第一图形的结构上形成第一材料层，并对其进行各向异性腐蚀以在第一图形侧面上形成分隔层。用分隔层作腐蚀掩模对第一导电层进行腐蚀后清除第一图形...

在此披露了一种制造其漏极与沟道区分离（ＤＳＣ结构）的凹槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，以满足在深亚微米技术中提出的器件的可靠性和性能等所有要求。 按照本发明，同时界定沟道区和场区，使用ＬＯＣＯＳ形成其凹形沟道区与漏区分离...

在具有许多布线层和形成在其间的自对准接触孔的高集成度半导体布线结构中，这样形成布线层，使得要形成接触孔的部分形成为第１布线宽度，而其余部分形成为比第１布线宽度宽的第２布线宽度。在制造此结构的方法中，使接触孔以自对准的方式形成，因而，就能...

一种制造芯片金属隆起部的方法，包括以下步骤：在形成焊接区的衬底上形成阻挡层金属层；在阻挡层金属层上形成光致抗蚀剂层以及在焊接区处开窗口；通过对窗口区电镀形成芯片隆起部；用该隆起部作为掩模选择性地去除光致抗蚀剂层；用残留的光致抗蚀剂层作为...

一种具有至少一个装在印制电路板下表面上的半导体芯片、丝焊到印制电路板端子上的半导体芯片电极端子、以及用密封树脂密封的半导体芯片和焊丝的连接部分的半导体器件，包括三维结构的半导体器件，它具有反向安装的印制电路板、经通孔连到外部端子的印制电...

一种形成电介质的方法，其中采用了其沉积速率随下层电极性而改变的介电材料，并对导电层和下层电介质进行表面处理以得到不同的电极性，从而利用介电材料在导电层上和在下层电介质上沉积速率的不同来形成电介质。为实行此方法，提供了一种在其基座和气体注...

本发明的半导体集成电路配备有应力电路，所说的应力电路包括：在同一芯片试验动作时输出启动信号，启动试验动作的应力启动电路；在试验动作时响应应力启动电路的输出信号；供给第一应力电压和第二应力电压的应力电压供给电路；供给第一应力电压和第二应力...

一种用于半导体器件的树脂模注引线框架，它具有一个其上安放管芯的管芯底座，由键合线与键合焊接区电连接的内引线和与印刷线路板电连接的外引线，管芯底座和内引线由树脂模注，其特征是引线框架由热膨胀系数与印刷线板上线路相近的金属制成，且管芯底座和...

一种带有形成在单元晶体管上方、下方的电容器的半导体存储器件，它包含形成在第一层面的第一和第二晶体管、与第一晶体管相连且形成在第一层面下方的第一存储电极、以及与第二晶体管相连且形成在第一层面上方的第二存储电极。第一和第二存储电极经由各个源...

一种能生长具有均匀厚度和低缺陷率的溅射装置的准直器包括许多以圆柱体形状形成的蜂窝状格子以及在每个格子的侧壁表面上形成的精细的槽和脊，由此来改善形成在侧壁表面上的粒子的粘附性。由于形成在每个格子的侧壁表面上的槽和脊增加了溅射期间在水平方向...