本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，具体公开了一种用于改善长厚碳化硅晶体质量的生长装置及方法；装置包括坩埚桶、隔热硬毡、过滤多孔桶、生长机构和分区加热结构；隔热硬毡设于坩埚本体内，形成多个独立的原料腔室，各腔室设有过滤多孔桶；生长机构包含...