本技术属于中子探测技术领域，提供了一种半导体中子探测器，包括：半导体单晶衬底；肖特基接触电极，蒸镀于半导体单晶衬底正表面，肖特基接触电极具有正电极引出触点；欧姆接触电极，溅射于半导体单晶衬底背表面，欧姆接触电极具有背电极引出触点；AlN...