本发明提出了一种采用绝缘材料填充沟槽的沟槽型氧化镓结势垒肖特基二极管及其制作方法，包括自下而上依次层叠设置的阴极金属层、高掺杂n型氧化镓衬底、低掺杂n型氧化镓外延层、沟槽、p型半导体层、阳极金属层、介质层、钝化层。其中阴极金属层沉积在高...

本发明涉及一种具有结终端扩展和沟槽复合终端结构的氧化镓功率二极管及其制备方法，该氧化镓功率二极管包括自下而上依次层叠设置的阴极金属层、高掺杂n型半导体衬底、低掺杂n型氧化镓外延层、p型半导体层、阳极金属层和钝化层；其中，低掺杂n型氧化镓...

本发明涉及一种具有结终端扩展和浮空场板复合终端结构的氧化镓功率二极管，属于功率半导体技术领域。所述氧化镓功率二极管，包括自下而上依次层叠设置的阴极金属层、高掺杂n型氧化镓衬底、低掺杂n型氧化镓外延层、p型半导体层、介质层、阳极金属及阳极...