本技术提供一种半导体测试结构，包括：至少两条第一有源区，位于衬底中；至少一条第一栅极结构，从至少两条第一有源区上延伸至第一有源区外围的衬底上；在至少一条第一栅极结构与所述两条第一有源区的多个相交区域中，其中一个相交区域的第一栅极结构为一...

本技术提供一种半导体器件，包括：衬底；体区，从衬底顶面延伸至衬底内；栅极结构，位于体区顶面；源极区和漏极区，分别位于栅极结构两侧的体区中，源极区和漏极区的掺杂类型与体区的掺杂类型相反；第一体接触区和第二体接触区，分别相应的位于源极区和漏...