本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体为一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法及设备。具体内容如下：对衬底进行预处理，制备出衬底的微观坑槽，根据相图信息，制备均匀溶液；在多区控温外延炉中设定温度梯度，通过舟装置对衬底外延生长进行控制，将...