本发明公开了一种利用定制波形发生器控制等离子体工艺腔室中离子能量分布的系统及方法，用于等离子体处理系统的实时控制与优化。具体地，本发明涉及与卡盘相连的定制波形发生器。该系统采用了一种系统控制器，可将工艺配方划分为设定阶段和处理阶段。设定...

本发明提供了一种用于优化传输至等离子体工艺腔室的RF功率的系统及方法。本发明采用以数据为导向的方法来确定各种等离子体状态下的谐振频率，从而无需传统的PID控制。通过在执行工艺配方过程中收集RF功率发生器随工作频率变化的性能数据，并分析波...

本发明公开了一种利用先进数字孪生技术控制和优化半导体工艺系统集群的系统及方法。每个工艺系统均具备由多个子系统数字孪生构建并通过实时传感器数据进行校准的特定数字孪生。AI机器利用这些数字孪生构建集群级系统数字孪生，并持续训练策略神经网络以...

本发明公开了一种基于强化学习的自主生成半导体工艺系统工艺配方的方法和系统。所述系统包含一个全面的数字孪生体，涵盖各子系统数字孪生体、腔室等离子体数字孪生体和工艺数字孪生体，并采用神经网络模型提升效率。通过将策略神经网络与MCTS相结合，...

本发明公开了一种用于半导体工艺系统的控制模块，其利用强化学习(RL)算法自主生成和调整工艺配方。所述控制模块具有全面的系统数字孪生，包括子系统数字孪生、腔室等离子体数字孪生和工艺数字孪生，并采用神经网络模型以提高效率。通过使用策略神经网...

本发明涉及一种通过强化学习来自主设计半导体制造工艺系统的方法和系统。具体地，本发明涉及一种利用子系统和系统数字孪生自主设计半导体制造工艺系统的系统和方法。通过AI机器的AI引擎，利用策略神经网络和MCTS程序，通过强化学习方法来探索庞大...

本发明公开了基于数字孪生体采用强化学习(RL)自主生成半导体工艺配方的系统及方法。通过采用神经网络版的数字孪生体，所述系统提升了计算效率，能够探索大规模的参数空间。在策略神经网络和蒙特卡洛树搜索(MCTS)程序引导下，RL智能体能够自主...

本发明提供了一种半导体制造中用于提升原子层刻蚀性能的系统与方法。其重点在于在表面改性步骤中消除RIE，这是传统ALE工艺中的一大挑战。通过在偏压单元与卡盘之间的路径中添加隔直电容器的开关机制，本方法显著提升了ALE性能。本发明可广泛应用...

本发明涉及一种自主生成工艺配方的原子层刻蚀系统和方法，该系统配备了能够自主生成工艺配方参数和子系统控制参数的系统数字孪生。这种基于数字孪生驱动的系统能够支持精确仿真，从而实现高效且高度适应性的半导体加工。在某些实施方案中，系统控制器会基...

本发明涉及用于半导体制造的工艺腔室群的集中式人工智能引擎。本发明在半导体制造中引入集中式人工智能引擎，能够自主管理多个工艺腔室。本发明的集中式人工智能引擎能够动态分配资源，实现了工艺配方的自主生成和实时调整。子系统控制器将这些工艺配方转...

本发明涉及一种用于原子层刻蚀的快速气体输送系统和方法。所述系统利用设置在气体分配单元附近的紧凑型气体缓冲器，能够使气体更快且更高效地输送至腔室。控制器管理气体缓冲器的气体流动，以使气体缓冲器内维持进行单次ALE循环所需的气体量。当一个气...

本发明公开了一种具有双模式比例积分微分(Proportional‑Integral‑Derivative；PID)控制回路的质量流量控制器(Mass Flow Controllers；MFC)。在训练模式下，PID控制回路根据工艺配方中...