本发明提供了一种用于在基底上沉积第III族氮化物半导体膜的方法，包括：提供蓝宝石基底；将基底放置在真空室中；通过蚀刻修整基底的表面并提供经修整的表面；保持基底与加热器的基底面对表面分离预定距离；在保持基底与加热器的基底面对表面分离的同时...

提供一种用于在基底上沉积氮化铝层的方法，所述方法包括：提供硅基底；将基底放置在真空室中；通过蚀刻对基底的表面进行调整，并提供调整的表面；在氩的气氛下通过溅射法向基底的调整的表面上沉积铝膜；以及在氮和氩的气氛下通过溅射法在铝膜上沉积外延的...