一种半导体存储器器件包括在基底上形成的存储器单元（MC）的阵列，所述存储器单元（MC）每个从负载元件和晶闸管实现，负载元件和晶闸管定义可切换电流路径，所述可切换电流路径的状态表示由MC存储的易失性位值。对应于所述阵列的各个行的至少一个字...

半导体器件包括：衬底，支承包括与量子阱中的量子点（QD-in-QW）结构偏移的至少一个调制掺杂的量子阱（QW）结构的多个层。所述调制掺杂的QW结构包括被通过间隔壁层与至少一个QW间隔开的电荷片层。所述QD-in-QW结构具有嵌入在一个或...