本发明涉及一种用于制造半导体元件的方法，该方法包括下列方法步骤：在使用连接电极（４０）作为掩膜的情况下利用高能粒子照射半导体本体（１００）的正面（１０１），以便在该半导体本体（１００）中产生用于重组第一和第二导电类型的载流子的重组中心（...