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OTI照明公司专利技术
OTI照明公司共有33项专利
电子器件和半导体器件制造技术
公开了一种电子器件和半导体器件。电子器件具有沉积在衬底上并且在电子器件的由其横轴限定的外侧中延伸的多个层,电子器件包括显示面板,显示面板包括:至少一个信号交换显示部分,至少一个信号交换显示部分包括:多个发射区域,每个发射区域包括电极层,...
光电子器件制造技术
提供了一种具有多个层的光电子器件,光电子器件包括:第一覆盖层(CPL),第一CPL包括第一CPL材料并且设置在第一发射区域中,第一发射区域被配置为穿过第一CPL发射具有由第一起始波长表征的第一波长谱的光;和第二CPL,第二CPL包括第二...
包括图案化EM辐射吸收层的光电子器件制造技术
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件促进其上EM辐射的吸收。该器件在至少一个侧向朝向延伸。EM辐射吸收层被沉积在第一层表面上,该EM辐射吸收层包括至少一种颗粒结构的不连续层,该颗粒结构包括沉积材料。该颗粒结构促进入射在其...
包括设置在发射区域上面的导电涂层的器件及其方法技术
一种电致发光器件,包括:(1)第一发射区域和第二发射区域,第一发射区域配置为发射与第二发射区域不同波长的光;和(2)设置在第一发射区域和第二发射区域中的导电涂层,该导电涂层包括设置在第一发射区域中的第一部分和设置在第二发射区域中的第二部...
包括设置在发射区域上面的导电涂层的器件及其方法技术
一种电致发光器件,包括:(1)第一发射区域和第二发射区域,第一发射区域配置为发射与第二发射区域不同波长的光;和(2)设置在第一发射区域和第二发射区域中的导电涂层,该导电涂层包括设置在第一发射区域中的第一部分和设置在第二发射区域中的第二部...
电致发光装置制造方法及图纸
本申请涉及一种电致发光装置,其包含:包含多个第一像素的第一部分,所述多个第一像素以第一像素密度布置;以及包含多个第二像素的第二部分,所述多个第二像素以第二像素密度布置,所述第一像素密度小于所述第二像素密度。
包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备制造技术
本发明公开了一种光电设备,其包括光透射区域,这些光透射区域沿着第一轴线延伸穿过其中,以允许光从这些光透射区域中通过。这些透射区域可以沿着多条横向配置轴线布置。发射区域可以沿着多条配置轴线位于相邻的透射区域之间,以从设备发射光。每个透射区...
在图案化涂层上选择性沉积传导性涂层的方法和包括传导性涂层的装置制造方法及图纸
装置包括:(1)基材;(2)覆盖至少部分基材的图案化涂层,图案化涂层包括第一区域和第二区域;和(3)覆盖图案化涂层的第二区域的传导性涂层,其中第一区域对传导性涂层的材料具有第一初始粘着概率,第二区域对传导性涂层的材料具有第二初始粘着概率...
具有纳米颗粒沉积层的光电子器件制造技术
本发明公开了一种分层半导体器件,该分层半导体器件包括设置在下面层上的至少一种颗粒结构,该至少一种颗粒结构包括与触点材料接触的颗粒材料,该触点材料选自:晶种材料、共沉积介电材料和/或至少一种图案化材料。本发明公开了一种用于在该器件的制造期...
用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置制造方法及图纸
光电子装置包括:(1)包括第一区域和第二区域的衬底;和(2)覆盖所述衬底的第二区域的传导性覆层。衬底的第一区域从传导性覆层暴露,和与衬底的第一区域邻近的传导性覆层的边缘具有大于约20度的接触角。缘具有大于约20度的接触角。缘具有大于约2...
用于形成图案化涂层的含硅化合物和包含该化合物的器件制造技术
一种包括化合物的分层半导体器件,所述化合物包括硅
一种光电子器件制造技术
一种光电子器件,其包括:成核抑制涂层(NIC),设置在所述器件的侧向朝向的第一部分中的所述器件表面上;和导电涂层,所述导电涂层包含导电涂层材料并且设置在所述器件的侧向朝向的第二部分中的所述器件表面上;其中所述第一部分中的所述NIC的表面...
包括低折射率涂层和辐射改性层的器件制造技术
本发明公开了一种半导体器件,该半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向延伸,该半导体器件包括:设置在第一层表面上的至少一个(较)低折射率涂层,以及嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内并且包括至少一种颗粒结...
用于形成图案化涂层的化合物和包含该化合物的装置制造方法及图纸
本发明公开了一种包含链部分的磷腈衍生物化合物,该链部分包含主链和附接的氟原子;以及包含这种化合物的光电子装置。该链部分包含中间部分、布置在其末端部处的与中间部分键合的末端部分,以及/或者包含附接到(包括通过该链部分的接头部分附接到)该链...
含有稀土化合物的成核抑制涂层以及结合所述成核抑制涂层的装置制造方法及图纸
一种具有多个层的装置包括:成核抑制涂层(NIC),所述成核抑制涂层安置在所述装置的横向方面的第一部中的第一层表面上;以及包括沉积材料的沉积层,所述沉积层安置在第二层表面上,其中针对所述沉积层在所述第一部中沉积到所述NIC的表面上的初始粘...
包括低折射率层的光电子器件制造技术
本发明公开了一种半导体器件,该半导体器件具有在由该器件的侧向轴限定的至少一个侧向朝向的界面部分和非界面部分中延伸的多个层。(较)低折射率层设置在至少该界面部分中的第一层表面上,该(较)低折射率层能够包括在某一波长具有第一折射率的低折射率...
具有盲孔以用于适应与屏下部件交换的信号的显示面板制造技术
一种分层面板在侧向方向的第一部分和第二部分中延伸,通过第二部分接受一个或多个电磁信号。第一部分而非第二部分具有沉积材料的封闭涂层。第二部分可以包括成核抑制涂层(NIC)和/或低折射率涂层。第一部分中的NIC的沉积材料的初始粘附概率可以小...
包含覆盖层的发光装置和其制造方法制造方法及图纸
一种具有多个层的光电子装置,所述光电子装置包括:第一覆盖层(CPL),所述第一CPL包括第一CPL材料并且安置在第一发射区域中,所述第一发射区域被配置成发射具有以第一起始波长为特征的第一波长光谱的光子;以及第二CPL,所述第二CPL包括...
包含辅助电极和分区的光电子装置制造方法及图纸
本发明公开了一种具有多个层的光电子装置,所述光电子装置包括成核抑制涂层(NIC),所述NIC安置在所述装置的侧面的第一部分中的第一层表面上。在所述第一部分中,所述装置包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的半导电层。...
包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备制造技术
本发明公开了一种光电设备,其包括光透射区域,这些光透射区域沿着第一轴线延伸穿过其中,以允许光从这些光透射区域中通过。这些透射区域可以沿着多条横向配置轴线布置。发射区域可以沿着多条配置轴线位于相邻的透射区域之间,以从设备发射光。每个透射区...
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