OTI专利技术

OTI共有2项专利

  • 本发明公开了,一种分层半导体器件包括在侧向朝向的第一部分中沉积在下面层的暴露层表面上的图案化涂层,该图案化涂层适于影响沉积材料的蒸气通量在其上冷凝的倾向,该图案化涂层包括表现出相应的至少一种第一材料性质和至少一种第二材料性质的第一材料和...
  • 本发明公开了一种半导体器件,该半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴线限定的至少一个侧向朝向的第一部分和第二部分中延伸,该半导体器件包括:包括取向材料的取向层,该取向层设置在至少该第一部分中该器件的第一暴露层表面上;包括图案...
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