本发明公开了一种内置可挥发金属热源提纯氮化铝（AlN）粉末的装置及方法，属于半导体材料制备技术领域。所述装置包括中频感应电源、感应线圈、置于线圈内的耐高温金属坩埚、设于坩埚中心的镁或钙金属棒以及填充于两者间的AlN粉体。方法包括：气氛置...