本发明提供了一种高温薄膜铂电阻传感器芯片的制造方法，涉及温度传感器技术领域，解决了现有技术中薄膜铂电阻传感器芯片因基底材料与薄膜铂金材料的热膨胀不一致，以及制造工艺引入污染而导致的工作温度范围窄、高温下长期稳定性差的技术问题。该装置包括...