本发明公开了一种中低压MOSFET引脚加工方法，包括预准备加工箱、加工台、切割机构、推料机构、调节机构和隔离箱，以及待加工中低压MOSFET主体，使中低压MOSFET主体放置在调节机构上，且根据该批次中低压MOSFET主体和引脚的高度，...

本发明公开一种用于IGBT模块的绝缘电阻测试方法，涉及电力电子系统领域。该用于IGBT模块的绝缘电阻测试方法，包括以下步骤：确定环境变量参数、配置测试电压变量、向IGBT模块施加所述测试电压，记录测试时间变量和基于不同环境变量参数、测试...