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迈克尔·托马斯·柯申鲁瑟专利技术
迈克尔·托马斯·柯申鲁瑟共有1项专利
通过提高边缘温度来增加磁约束等离子体中的能量增益:超级-XT偏滤器制造技术
具有基本对称的磁约束等离子体区域的环形约束等离子体容器,其中多个磁场线圈被配置为提供至少一个X点,并且将等离子体粒子从磁约束区域引导至偏滤器靶;并且其中偏滤器靶处的总磁场强度(包括磁场的所有分量)低于偏滤器靶与SOL中最靠近偏滤器靶的最...
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