本发明公开了一种存储器装置，包括数据存储器阵列、参考存储器阵列及侦测电路。参考存储器阵列包括(N/2+1)条位线、(N/2)条源线及多个参考单元，N为正偶数。每行参考单元包括第(2n

本发明公开了一种反熔丝存储装置、存储阵列及反熔丝存储装置的编程方法。当反熔丝存储装置的驱动电路编程所选中的反熔丝记忆胞时，藉由浮接未被选中的反熔丝控制线或对未被选中的反熔丝控制线施加第二控制线电压，未被选中的位线和未被选中的反熔丝控制线...

本发明公开一种电阻式存储单元及其相关的存储单元阵列结构，其中该存储单元阵列结构具有一第一电阻式存储单元。第一电阻式存储单元包括:阱区、第一掺杂区、合并区、第一栅极结构、第二栅极结构与第一金属层。第一掺杂区与合并区形成于阱区的表面下方，第...

本发明公开一种存储器组件，其包括存储器结构。所述存储器结构包括衬底、沟道区、第一掺杂区、第二掺杂区、浮动栅极以及介电层。所述沟道区设置于所述衬底上。所述第一掺杂区所述与第二掺杂区设置于所述衬底上且分别位于所述沟道区的两侧。所述浮动栅极设...

本发明公开一种非挥发性存储器的存储单元，包括：一N型区域、一N型阱区、一P型阱区、一第一p型掺杂区域、一第二p型掺杂区域与一第一n型掺杂区域。该N型阱区与该P型阱区形成于该N型区域中。该第一p型掺杂区域与该第二p型掺杂区域位于该N型阱区...

一种电荷泵装置，其包含第一电荷泵系统、第二电荷泵系统、开关晶体管和电压调整电路。第一电荷泵系统用于将第一电源电压转换为第一升压电压。第二电荷泵系统用于将第二电源电压转换为第二升压电压。开关晶体管耦接于第一电荷泵系统与第二电荷泵系统，且用...

具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器及编程控制方法。该非易失性存储器包括一存储器胞阵列、一电流供应电路、一路径选择电路、一验证电路与一控制电路。在一验证动作的一采样区间时，该控制电路控制该电流供应电路提供n个第M参考电流至该n个验证元件...

本发明公开一种存储器结构及其操作方法。上述存储器结构包括基底、栅极结构、电荷存储层与第一控制栅极。基底具有鳍部。部分栅极结构设置在鳍部上。栅极结构与鳍部彼此电性绝缘。电荷存储层耦合于栅极结构。电荷存储层与栅极结构彼此电性绝缘。第一控制栅...

本发明公开一种非挥发性存储器的存储单元，包括一存储元件。存储元件为一晶体管，且存储元件具有不对称的间隙壁。在存储元件中，较宽间隙壁的下方具有较长的沟道。当存储元件进行编程动作时，将有更多的载流子(carrier)经由较长沟道注入间隙壁的...

一种多层式存储单元数组的编程与验证方法，该多层式存储单元数组包括：一第一列的多个存储单元，连接至一字线、一源极线、一抹除线以及多条位线，每一该存储单元在一编程周期时会被编程至一目标储存状态，该目标储存状态为X个储存状态其中之一，该编程与...

本发明提供一种多阶型存储器胞的感测电路与方法。该感测电路包括：一存储器胞时钟产生器、一参考时钟产生器、一计数器、一锁存信号产生器、一锁存器与一计数值至状态转换电路。存储器胞时钟产生器接收一选定存储器胞输出的一存储器胞电流，并将该存储器胞...

本发明公开了一种存储器装置，包含阱、多晶硅层、侧壁、介电层、对齐层及主动区。该多晶硅层及该侧壁形成于该阱上方。该介电层形成且完全覆盖于该多晶硅层及该侧壁上方。该对齐层形成于该介电层上，用以接收对齐层电压及实质上于投影方向对齐于该介电层。...

一种运用于非易失性存储器的写入电压产生器。该写入电压产生器连接于一磁阻式随机存取存储器。在一写入动作时，该写入电压产生器提供一写入电压。而根据写入电压，该磁阻式随机存取存储器中一写入路径内一选定存储器胞的存储状态可对应地改变。该写入电压...

本发明公开一种可编程的非挥发性存储器的存储单元阵列，其存储单元阵列中的存储单元包括：一阱区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第一栅极结构与一存储结构。第一掺杂区与第二掺杂区形成于阱区。第一栅极结构覆盖于第一掺杂区与第二掺杂区之间的一第一表...

一种非易失性存储器包括存储单元阵列、电流供应电路、路径选择电路与判断电路。存储单元阵列包括m

一种非易失性存储器包括一存储单元阵列、一电流供应电路、一路径选择电路与一验证电路。存储单元阵列包括m

本发明公开了一种存储器装置，包括第一阱、第二阱、第三阱、浮动栅极层、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、沟槽隔离层及字线接点。所述第二阱位于所述第一阱上，且包括第一部分及第二部分。所述第三阱包括第一部分及第二部分，分别位于所述第二阱的所...

本发明公开一种多相位时钟产生器及其相关频率合成器。该多相位时钟产生器包括：一电流镜、一电压控制器、一拟态电阻电路与一第一延迟电路。该电流镜包括一接收端，一第一镜射端与一第二镜射端。该电压控制器连接至该接收端，该电压控制器的一反馈端连接至...

本发明公开一种多次编程非挥发性存储器的存储单元阵列。存储单元阵列中的存储单元可为单一晶体管与单一电容器的存储单元(1T1C cell)、二晶体管与单一电容器的存储单元(2T1C cell)或者三晶体管与单一电容器的存储单元(3T1C c...

本发明公开了差动传感装置包含二个参考单元、四个路径选择器及四个采样电路。第一路径选择器耦接于第一传感节点、第二参考单元及第一存储单元。第二路径选择器耦接于第二传感节点、第一参考单元及第一存储单元。第三路径选择器耦接于第三传感节点、第一参...