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昆山清元电子科技有限公司专利技术
昆山清元电子科技有限公司共有54项专利
一种热释电叠层薄膜电容器及其制备方法与应用技术
本发明提供了一种热释电叠层薄膜电容器及其制备方法与应用,所述热释电叠层薄膜电容器包括依次层叠设置的基底、第一电极层、n层复合层和第二电极层,其中,n≥3;所述复合层具备超晶格结构,所述复合层包括层叠设置的铁电层和顺电层,其中,所述铁电层...
一种具有高温稳定性脉冲储能陶瓷组合物及其制备方法技术
本发明提供一种具有高温稳定性脉冲储能陶瓷组合物及其制备方法,涉及脉冲储能陶瓷材料技术领域。陶瓷组合物以Ba(ZrxTi1‑x)O3钙钛型化合物为主成分,除此之外,还有以Bi2O3和Bi2O3 ·nTiO2的复合形式加入的第一副成分Bi元...
一种自支撑可剥离的多层陶瓷薄膜电容器制造技术
本发明公开了一种自支撑可剥离的多层陶瓷薄膜电容器,涉及陶瓷薄膜电容器技术领域,是通过包括如下步骤的制备方法制备而成:步骤S1、基底的选择;步骤S2、Sr3Al2O6牺牲层的制备;步骤S3、MLFC前驱体溶液的制备;步骤S4、MLFC制备...
一种自支撑可堆叠的多层陶瓷薄膜电容器制造技术
本发明公开了一种自支撑可堆叠的多层陶瓷薄膜电容器,涉及陶瓷薄膜电容器技术领域,是通过包括如下步骤的制备方法制备而成:步骤S1、基底的选择;步骤S2、Sr3Al2O6牺牲层的制备;步骤S3、MLFC前体溶液的制备;步骤S4、MLFC制备;...
一种陶瓷电容器绝缘边的涂覆方法技术
本发明提供一种陶瓷电容器绝缘边的涂覆方法,所述涂覆方法包括以下步骤:在陶瓷膜片上依次沉积钛层和铜层后,在陶瓷膜片端面旋涂光刻胶,再依次进行烘烤、对位曝光、显影、蚀刻和去胶清洗,得到留有绝缘边的陶瓷电容器;所述绝缘边的尺寸为0.01mm‑...
一种基于应变效应提升自支撑陶瓷薄膜储能性能的方法技术
本发明公开了一种基于应变效应提升自支撑陶瓷薄膜储能性能的方法,涉及储能电介质电容器技术领域,包括如下步骤:步骤S1、制备Sr3Al2O6牺牲层;步骤S2、沉积SrRuO3;步骤S3、底电极和铁电体溅射;步骤S4、牺牲层和丙烯酸树脂胶的溶...
一种基于应变效应提升陶瓷薄膜储能性能的方法技术
本发明公开了一种基于应变效应提升陶瓷薄膜储能性能的方法,涉及储能电介质电容器技术领域,包括如下步骤:步骤S1、将铁电体以共格方式沉积到基底上,在基底表面制备具有双轴拉伸应变的铁电体单晶薄膜;步骤S2、在经过步骤S1制成的铁电体单晶薄膜表...
一种满足Y8R的高介电常数陶瓷电容材料及其制备方法技术
本发明公开了一种满足Y8R的高介电常数陶瓷电容材料及其制备方法,以质量份数计,包括如下组分:主相95‑97份、第一掺杂相0.5‑0.8份、第二掺杂相1‑3份、第三掺杂相0.7‑2份;所述主相为钛酸钡;所述第一掺杂相为稀土氧化物;所述第二...
一种圆片式钛酸钡陶瓷电容器介质材料及其制备方法和应用技术
本发明涉及一种圆片式钛酸钡陶瓷电容器介质材料及其制备方法和应用,包括:将钛酸钡基混合粉体和硬脂酸盐混合均匀,经压制后烧结得到圆片式钛酸钡陶瓷电容器介质材料;钛酸钡基混合粉体的原料包括钛酸钡、稀土氧化物和硅溶胶液。本发明硬脂酸盐作为内脱模...
一种基于应变效应提升柔性陶瓷薄膜储能性能的方法技术
本发明公开了一种基于应变效应提升柔性陶瓷薄膜储能性能的方法,涉及储能电介质电容器技术领域,包括如下步骤:步骤S1、制备前驱体溶液;步骤S2、薄膜的制备;步骤S3、金电极沉积。本发明公开的基于应变效应提升柔性陶瓷薄膜储能性能的方法提升储能...
一种MLCC高精度低成本错位印刷方法及电子元器件技术
本发明提供了一种MLCC高精度低成本错位印刷方法及电子元器件,包括以下步骤:S1、将陶瓷浆料流延在柔性基底上得到陶瓷膜带;S2、将陶瓷膜带裁切处理得到陶瓷膜片;S3、定义陶瓷膜片修饰有柔性基底的为反面,与之相对的另一面为正面;在陶瓷膜片...
一种在陶瓷上形成银电极的加工系统设备、加工方法及其用途技术方案
本发明属于电子元器件制造技术领域,本发明提供了一种在陶瓷上形成银电极的加工系统设备、加工方法及其用途,所述加工系统设备包括陶瓷输送装置、静电喷涂装置以及显影装置;其中,所述静电喷涂装置具有银氨溶液入口、还原剂溶液入口以及花洒式喷头,银氨...
高熵陶瓷、制备方法及其应用技术
本发明公开了一种高熵陶瓷、制备方法及其应用,涉及高熵陶瓷技术领域。其中,该高熵陶瓷,包括:所述高熵陶瓷的化学式为Pb(ZraTibAcBdCe)O3;其中,a+b≥0.4,A、B、C为四价元素,且满足化学计量比a+b+c+d+e=1,以...
一种采用碳纤维引脚的圆片电容及其生产工艺和生产设备制造技术
本发明公开了一种采用碳纤维引脚的圆片电容及其生产工艺和生产设备,所述圆片电容包括圆片电容、银电极和碳纤维引脚;所述生产工艺包括吸附剂制备、吸附剂包裹碳纤维、预还原反应、绝缘层包裹以及圆片电容的制备;所述生产设备包括提拉池、银离子浸泡池、...
MLCC叠层预压合装置制造方法及图纸
本发明公开了MLCC叠层预压合装置,涉及MLCC叠层加工技术领域;本发明包括:基箱,其顶部为开口,所述基箱上固设有支架,所述支架上设置有第一电动推杆,所述第一电动推杆的活塞端连接有封板,所述基箱上设置有用于对其内腔抽真空的抽气机构;压合...
喷雾造粒设备及喷雾造粒方法技术
本发明公开了一种喷雾造粒设备及喷雾造粒方法,涉及喷雾造粒技术领域。本发明包括:干燥箱,其内包括热风腔和加工腔,所述热风腔内安装有热风机,所述热风腔和加工腔之间安装有过滤板,所述加工腔上开设有下料口;储存罐,其上安装有与加工腔连通的排料管...
一种圆片电容封装的协同式检测设备制造技术
本发明涉及检测设备技术领域,尤其涉及一种圆片电容封装的协同式检测设备,包括机座,机座上端安装有输送架和分类组件,机座内滑动连接有检测组件,输送架内设置有双段输送组件和翻转组件,翻转组件包括转动架、连接轴、连接辊、连接带、第一摩擦轮和第二...
一种高导热C0G电介质材料及其制备方法技术
本发明提供一种高导热C0G电介质材料及其制备方法,涉及陶瓷材料领域;方法包括:碳酸镁、碳酸钙、氧化锆和二氧化钛按摩尔比0.7:0.3:0.2:0.8称取后均匀混合并煅烧,制得(Mg0.7Ca0.3)(Zr0.2Ti0.8)O3;将氧化铝...
多层薄膜电容器及其制备方法技术
本发明公开了一种多层薄膜电容器及其制备方法,涉及电容器技术领域。其中,该多层薄膜电容器,包括:基底层;电介质层,沿预设方向设置于所述基底层上;内电极层,设置于所述电介质层之间;外电极,分别与所述电介质层和所述基底层相连;其中,所述电介质...
一种反铁电-顺电叠层储能电容器及其制备方法技术
本发明提供一种反铁电‑顺电叠层储能电容器及其制备方法,制备方法至少包括:S1:于基板上沉积底电极层;S2:通过脉冲激光沉积工艺沉积第一介电层,第一介电层材料为顺电介质材料;S3:通过脉冲激光沉积工艺沉积第二介电层,第二介电层至少依次包括...
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