一种半导体发光器件（１０）包括半导体结构（１２），该半导体结构包括：第一半导体材料（在本实例中为Ｇｅ）的第一主体（１４），该第一主体包括第一掺杂种类（在本实例中为ｎ）的第一区；以及第二半导体材料（在本实例中为Ｓｉ）的第二主体（１８），该...