本公开提出了一种3D磁存储器器件，其包括具有交替布置的介电层和硅基层的叠层、以及穿过叠层形成的磁性材料通道。通道在其延伸穿过硅基层处具有第一直径，并且在其延伸穿过介电层处具有第二直径。在通道中形成由层限定的钉扎位点，每个钉扎位点被配置为...