本发明属于晶片加工制作技术领域，提供了一种蓝宝石晶片退火工艺，多级退火处理如下：第一步，退火炉升温，由室温升温至1000℃，梯度2.5‑3℃/min，并恒温30‑60min；第二步，升温至1450℃，梯度2.5‑3℃/min，恒温8‑1...

本发明提供了一种蓝宝石晶片的贴片方法。本发明在晶片分选厚度过程中，先对晶片正负BOW面进行分选，并将正BOW面或负BOW面统一方向上机贴片，进行统一负BOW面铜抛、化抛加工。不进行正负BOW值分面贴片产品在加工过程中会出现正负BOW面不...