国立大学法人东北大学专利技术

国立大学法人东北大学共有352项专利

  • 在遮光的状态下,在氮气环境中,通过用加氢超纯水洗净硅表面,实现峰谷(P-V)值在0.3nm以下的平坦度,同时通过使电极和硅之间的功函数差在0.2eV以下,实现接触电阻在10↑[-11]Ωcm↑[2]以下。由此,可以得到能够以10GHz以...
  • 电子器件的制造方法,在基板上形成的透明树脂膜中,选择性地埋设用于形成栅极的金属膜,在栅极部分通过溅射将金属膜直接形成在基板上,而在栅极部分以外的部分则通过溅射将金属膜形成在绝缘性涂布膜上。随着绝缘性涂布膜被蚀刻去除,绝缘性涂布膜上的金属...
  • 本发明的课题是提供具有高亮度、高效率且长寿命的阴极体。在由含有氧化镧的热传导率高的金属合金形成的圆筒状杯体上,采用能够以低电子温度进行溅射的磁控溅射装置,形成LaB6膜,由此来制造本发明的阴极体。
  • 本发明提供一种固体摄像元件以及摄影装置。在像素区域中配置成二维阵列状的每一个像素中具备独立的像素输出线(14),通过像素输出线(14)向多个存储部(22)依次写入像素信号。在存储部(22)中保持了多帧的像素信号的状态下,从存储部(22)...
  • 本发明提供一种固体摄像元件及其制造方法,在嵌入型光电二极管(31)的受光面的大致中央处形成浮动扩散区(331),按照包围该浮动扩散区(331)的方式配置传送晶体管(32)的栅极电极。通过使光电二极管(31)的p+型半导体区域、n型半导体...
  • 本发明提供一种固体摄像元件,在半导体基板上分开设置二维阵列状排列了包括光电二极管的像素(10)的像素区域(2a)、配置了保持连续摄影帧数份的在各像素中生成的信号的存储部的存储区域(3a)。所有像素同时执行光电荷蓄积,并使通过光电荷的蓄积...
  • 本发明提供一种固体摄像元件及其驱动方法,对像素区域(2a)内配置成二维状的每个像素(10)设置独立的像素输出线(14),各像素输出线(14)上连接多个存储部。连续读取模式下,在所有像素中同时执行光电荷蓄积,从各像素(10)通过像素输出线...
  • 本发明提供半导体器件及其制造方法。在包含浅沟槽元件分离区域、多层结构的层间绝缘膜的半导体器件的制造工序中,需要反复使用CMP,然而由于CMP本身成本高,因此CMP的反复使用导致制造成本上升。作为浅沟槽(ST)元件分离区域中所用的绝缘膜和...
  • 本发明使用绝缘性涂布膜形成层间绝缘膜,所述绝缘性涂布膜具有2.5以下的介电常数k,且由通式((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(式中,n=1~3、x≤1)所表示的一种或二种以上的氧化物构成。利用旋涂涂布得到的绝缘性涂布膜...
  • 在半导体基板等的清洗中,需要进行至少由5个工序构成的清洗。本发明提供一种清洗方法,其包括:利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、利用含有表面活性剂的超纯水进行清洗的第二工序、以及利用含有超纯水和2-丙醇的清洗液除去来源于表面活性剂的有...
  • 本发明的课题在于,提供一种可有效用于搭载于电子设备的电子部件或电路基板的小型化的呈现出低磁性损失(tanδ)的复合材料及其制造方法。本发明的复合材料含有绝缘材料和分散在该绝缘材料内的微粒,所述微粒预先用实质上与所述绝缘材料相同成分的绝缘...
  • 本发明的主要目的是提供基于其具体碱基序列信息,直接鉴定Rf17基因座的基因型的技术,及提供人为制成育性恢复系统的技术等。通过抑制或减少CW型细胞质雄性不育性水稻中含SEQ?ID?NO:2所示的碱基序列的基因的表达来恢复所述水稻育性的方法...
  • 本发明的课题在于通过降低接触电阻来改善光电转换元件结构的转换效率。本发明的p?i?n结构的光电转换元件结构,通过选择p型半导体的电荷带的上限的能级或n型半导体层的电子亲和力、与该半导体接触的金属层的功函数,与使用Al、Ag等作为电极时相...
  • 本发明提供一种旋转磁铁溅射装置。该旋转磁铁溅射装置具备等离子体遮蔽构件和被接地了的外壁,在等离子体遮蔽构件与外壁之间,具有串联谐振电路及并联谐振电路。串联谐振电路仅在谐振频率下具有非常低的阻抗,并联谐振电路仅在谐振频率下具有非常高的阻抗...
  • 对在像素区域(2a、2b)中呈二维状进行排列的每个像素(10)设置像素输出线(14),在延伸至存储区域(3a、3b)的像素输出线(14)上连接存储单元(20)。存储单元(20)具备写入侧晶体管(21)、读出侧晶体管(22)、以及保持10...
  • 提供一种固体摄像元件及其驱动方法,对二维排列的每个像素(10)独立地设置突发读出用存储部(200)和连续读出用存储部(210)。突发读出用存储部(200)具备多个能够保持信号的电容器(25001~25104),连续读出用存储部(210)...
  • 本发明提供一种多层配线基板。多层配线基板(100)具有:第一配线区域(101),其中配线(103a)和绝缘层(104a,104b)交替地层叠;以及第二配线区域(102),其中相对于第一配线区域(101)的绝缘层的厚度H1,绝缘层(104...
  • 一种金属垫片,能以小的旋紧力获得高密封性,而且,在施加一定的旋紧负载的情况下的变形量大,因此,即使在以手动作业进行螺栓固定的情况下,也能进行螺栓旋紧的管理,并不会对对象侧的凸缘面造成损伤。金属垫片(10)由利用周向的开口而形成截面大致呈...
  • 包括:向应为半导体装置的p型或n型接触区域的Si层部分离子注入p型或n型的杂质的工序;和离子注入工序后,不进行使注入的离子活性化的热处理,在所述接触区域表面形成接触用的金属膜的工序;和通过加热使所述金属膜的金属与所述Si层部分反应,形成...
  • 本发明提供一种固体电解质,其具备LiBH4和由下述式(1)所表示的碱金属化合物,MX(1)(式(1)中,M表示碱金属原子,X表示选自卤素原子、NR2基(R表示氢原子或者烷基)以及N2R基(R表示氢原子或者烷基)中的1种)。